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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案2023-01-16 22:11
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如何手動計算IGBT的損耗2023-01-12 22:11
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎?2023-01-11 15:09
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探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-11 15:09
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新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板2023-01-11 15:09
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通過柵極驅動器提高開關電源功率密度2023-01-11 15:08
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探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性2023-01-04 09:45
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魚與熊掌皆可得?當SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47
引言事物皆有兩面:SiCMOSFET以更快的開關速度,相比IGBT可明顯降低器件開關損耗,提升系統(tǒng)效率和功率密度;但是高速的開關切換,也產生了更大的dv/dt和di/dt,對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下,轉速高達10萬轉以上,輸出頻率可達2000Hz,調制頻率50kHz以上是asic 889瀏覽量 -
IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14
什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關,從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間,就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時,時常會無奈發(fā)生,占空比越小越容易輸出窄脈沖,且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關續(xù)流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000AIGBT 2527瀏覽量 -
Tvj - IGBT元宇宙中的結溫2022-05-24 05:30
///在IGBT應用中,結溫是經常使用的一個參數(shù),大部分讀者應該都很熟悉這個概念,但是這和元宇宙有什么關系呢?我想先請大家考慮一個問題:IGBT結溫到底是指具體哪兒的溫度?。。。你們是不是已經開始上百度搜索答案了?我在百度百科以及維基百科搜索出結溫的解釋大概是這樣的:晶體管結溫,簡稱結溫,是指半導體芯片內的最高工作溫度,通常芯片的結溫會比芯片的外殼高。。。原IGBT 4047瀏覽量