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新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26
新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件:P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高IGBT 1293瀏覽量 -
如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間2022-05-24 05:24
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IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓2022-05-13 01:25
先說結(jié)論,如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說,很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件,只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān),在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCGIGBT 1475瀏覽量 -
英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022:盡享非凡功率2022-05-10 01:25
PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡,是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會,已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會上,全球從業(yè)者齊聚一堂,展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品,內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng),涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022(5月10日至12日,德國紐倫堡),展示功率半導(dǎo)體英飛凌 547瀏覽量 -
如何拓展IGBT驅(qū)動器電流2022-05-08 01:46
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當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57
英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm,覆蓋功率范圍最高可到20kW,產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試,或許還在選型觀望,又或者正懵懂于“.XT”是個啥?不妨讀完此文,撥云見日,三站地鐵,十分鐘足SiC 858瀏覽量 -
怎么理解驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力2022-04-28 01:33
使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時,往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個驅(qū)動峰值電流的定義方式。這個很重要,不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣,所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A驅(qū)動器 2758瀏覽量 -
新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23
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新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42
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新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品2022-04-20 01:27
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品,采用TO247封裝,建立在最先進的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化,性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù),最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12MOSFET 874瀏覽量