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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地，英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺，包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享，在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

    新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高
    IGBT 1293瀏覽量

  • 如何計算驅(qū)動芯片的desat保護時間2022-05-24 05:24

    SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個恒流源。功率開關(guān)器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升
    英飛凌 MOSFET IGBT 1960瀏覽量

  • IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓2022-05-13 01:25

    先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關(guān)，在實際使用中會產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
    IGBT 1475瀏覽量

  • 英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率2022-05-10 01:25

    PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級展會及研討會，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體
    英飛凌 547瀏覽量

  • 如何拓展IGBT驅(qū)動器電流2022-05-08 01:46

    功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路是集成電路的一個重要子類，功能強大，用于IGBT的驅(qū)動IC除了提供驅(qū)動電平和電流，往往帶有驅(qū)動的保護功能，包括退飽和短路保護、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB
    電流 驅(qū)動器 1450瀏覽量

  • 當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57

    英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足
    SiC 858瀏覽量

  • 怎么理解驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力2022-04-28 01:33

    使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個驅(qū)動峰值電流的定義方式。這個很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A
    驅(qū)動器 2758瀏覽量

  • 新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23

    新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應(yīng)用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達(dá)到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-
    芯片 模塊 1115瀏覽量

  • 新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42

    新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1
    IGBT IPM 893瀏覽量

  • 新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品2022-04-20 01:27

    新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
    MOSFET 874瀏覽量