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1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用2023-05-26 08:17
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凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季,重磅來襲!2023-05-19 08:16
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割2023-05-18 08:16
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新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅(qū)動器2ED132xS12x系列2023-05-17 08:16
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新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用TO-247PLUS SMD封裝2023-05-17 08:16
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新品 | 采用iMOTION™ IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板2023-05-16 08:16
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如何利用快速開關(guān)的TRENCHSTOP™ 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC2023-05-04 17:06
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集成電源管理的160V三相MOTIX™門級驅(qū)動器2023-04-20 21:48
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隔離型驅(qū)動芯片下面到底能不能走線2023-04-20 02:33
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性2023-04-11 14:21
作者簡介作者:FriedrichsPeter翻譯:趙佳碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)