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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 我們的城市為什么越來(lái)越熱?2024-08-03 08:14

    全球氣候在變暖,我們焚燒石油,煤炭等化石燃料,產(chǎn)生了大量二氧化碳等溫室氣體,導(dǎo)致全球氣候變暖,尤其大陸氣溫升高,城市變得越來(lái)越熱。圖:上海前灘的夜晚,被太陽(yáng)曬熱的建筑熱島效應(yīng)夏天天太熱,在陽(yáng)光下火辣辣的,大家一定會(huì)抱怨太陽(yáng)太猛。但你知道嗎?上海的夏天越來(lái)越熱不能怪太陽(yáng),大城市自身散發(fā)的熱量可以高達(dá)來(lái)自太陽(yáng)輻射熱量的五分之二。城市中心氣溫一般比周圍郊區(qū)高1℃左
  • IPAC碳化硅直播季丨如何設(shè)計(jì)2000V CoolSiC™驅(qū)動(dòng)評(píng)估板2024-08-02 08:14

    英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達(dá)到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件,再次推出首個(gè)應(yīng)用于2000VCoolSiCMOSFET的評(píng)估板。本次IPAC直播間特邀評(píng)估板開發(fā)團(tuán)隊(duì),免費(fèi)教學(xué),帶您深入了解兩款評(píng)估板設(shè)計(jì)精髓與測(cè)試要點(diǎn),領(lǐng)略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產(chǎn)品的高效與可靠
  • 新品 | 可直接驅(qū)動(dòng)的單端反激式輔助電源用 1700V CoolSiC™ MOSFET2024-08-01 08:14

    新品可直接驅(qū)動(dòng)的單端反激式輔助電源用1700VCoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFET1700VG1450mΩ、650mΩ和1000mΩ,采用TO247-3-HCC封裝,適用于單端反激式輔助電源,主要應(yīng)用如太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電器、UPS和通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。主要特點(diǎn)包括:可由反激式控制器直接驅(qū)動(dòng),無(wú)需柵極驅(qū)動(dòng)器IC、高耐壓且損耗小、.XT互連技
    MOSFET SiC 輔助電源 281瀏覽量
  • ?英飛凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革2024-07-31 08:14

    該技術(shù)將對(duì)數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費(fèi)電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè),對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOSFET,英飛凌進(jìn)行了巨大的研發(fā)投入,以重新定義系統(tǒng)集成標(biāo)準(zhǔn),使其在廣泛的電力電子應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)更高功率密度和效率。在英飛凌,CoolMOS8的推出意味著這些投入已經(jīng)取得了成效。它是一項(xiàng)先進(jìn)的MOSFET技術(shù),
    MOS MOSFET 二極管 元器件 268瀏覽量
  • 新品 | 650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F2024-07-27 08:14

    新品650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED2388S06F650V高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流,采用DSO-8封裝,用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT。產(chǎn)品型號(hào):2ED2388S06F產(chǎn)品特點(diǎn)工作電壓(相對(duì)于VS)高達(dá)+650V負(fù)VS瞬態(tài)抗擾度為100V集成超快、低電阻自舉二極管90ns傳播延遲最大電源電壓為25V應(yīng)用價(jià)值集成自舉
  • PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究2024-07-25 08:14

    /摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和數(shù)學(xué)計(jì)算。提出了基于SPICE模型的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對(duì)分流的影響。最后提出了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)建議和柵極電阻設(shè)計(jì)方法。導(dǎo)言隨著市場(chǎng)和應(yīng)用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來(lái)越重要的趨勢(shì)。目前,
  • 新品 | 雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋Easy模塊2024-07-24 08:14

    新品雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋Easy模塊EasyPIM2B集成PIM模塊,帶雙通道交錯(cuò)PFC級(jí)和三相逆變橋,適用于熱泵/暖通空調(diào)應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào):FB50R07W2E3_B23EasyPIM2B650V50APIM模塊,采用50AHighspeed5交錯(cuò)PFC級(jí),50A溝槽柵截止層IGBT3,發(fā)射極受控Emcon3二極管的逆變?nèi)鄻?,壓接安裝和NTC。F
    easy PFC 模塊 逆變橋 334瀏覽量
  • 參加研討會(huì),下載白皮書 | 揭秘功率轉(zhuǎn)換技術(shù)如何重塑綠色氫能2024-07-23 08:14

    全球綠色氫能需求激增,制造商競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn),目標(biāo)2030年前達(dá)155GW/年產(chǎn)能。展望至2050年,預(yù)計(jì)全球?qū)⒂?0%至80%的氫氣供應(yīng)實(shí)現(xiàn)脫碳。電解水作為綠色氫能基礎(chǔ)設(shè)施的基石,其重要性日益凸顯。鑒于電解水過程對(duì)高水平且穩(wěn)定直流電流的嚴(yán)格要求,電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)在電解制氫設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。線上研討會(huì)直播主題驅(qū)動(dòng)綠色未來(lái):功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革
  • 簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制2024-07-20 08:14

    簡(jiǎn)述半導(dǎo)體原理——晶體管家族的核心工作機(jī)制
  • 直播預(yù)告 | 驅(qū)動(dòng)綠色未來(lái):功率半導(dǎo)體在制氫電能轉(zhuǎn)換的革新解決方案2024-07-19 08:14

    氫能因其能量密度高、熱值高、儲(chǔ)量豐富等特點(diǎn)被專家學(xué)者認(rèn)為是最具應(yīng)用前景的能源之一。作為高效的儲(chǔ)能載體,氫能有望解決可再生能源實(shí)現(xiàn)大規(guī)??缂竟?jié)儲(chǔ)存和運(yùn)輸?shù)碾y題。本次研討會(huì)將深入探討功率半導(dǎo)體尤其是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在綠色制氫領(lǐng)域的應(yīng)用。IGBT作為電源解決方案,能夠顯著提高能源轉(zhuǎn)換效率,并完美適配新能源電網(wǎng),確保制氫過程的穩(wěn)定和高效,進(jìn)而提高系統(tǒng)的