深圳市浮思特科技有限公司文章

• 碳化硅開啟功率半導(dǎo)體的新時(shí)代2023-12-01 17:49

  

  隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環(huán)境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據(jù)PowerAmerica首席技術(shù)官Victor Veliadis介紹，目前SiC電力模塊的價(jià)格已經(jīng)與硅基模塊持平，這進(jìn)一步促進(jìn)了供應(yīng)合作以及新的SiC工廠的建造。

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅 267瀏覽量

• 中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成2023-12-01 17:48

  

  長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產(chǎn)品。該產(chǎn)品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量

  DRAM LPDDR5 芯片 長鑫存儲 753瀏覽量

• 碳化硅的超強(qiáng)性能2023-12-01 17:46

  

  電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān)，如MOSFETs和IGBTs，被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開關(guān)管理著大量的電力！然而，他們的能力有限，這正推動著新材料如碳化硅（SiC）的開發(fā)。在這種材料中，電子開始自由運(yùn)動需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性，如更快的開關(guān)速度和更高的功率

  IGBT MOSEET SiC 328瀏覽量

• 中國TCL集團(tuán)縮減其芯片設(shè)計(jì)的野心2023-12-01 17:45

  

  電視面板制造商TCL科技集團(tuán)有限公司已關(guān)閉了一家專門設(shè)計(jì)顯示驅(qū)動芯片的子公司，退出了利潤空間正在縮小的市場領(lǐng)域：位于廣東省的總公司解散了Mooresilicon這個(gè)子公司，這是一家擁有不到100人的團(tuán)隊(duì)。這一舉動對TCL科技的整體芯片發(fā)展策略影響甚微，公司仍在設(shè)計(jì)電源芯片。電源芯片是電子系統(tǒng)中控制電流流動的關(guān)鍵組件，它們被廣泛應(yīng)用于從手機(jī)到電動車的各種產(chǎn)品中

  TCL 芯片 芯片設(shè)計(jì) 驅(qū)動芯片 639瀏覽量

• LG電子將進(jìn)軍美國電動車充電市場2023-12-01 14:56

  

  LG電子計(jì)劃于2024年發(fā)布其首批交流和直流電動車充電站產(chǎn)品線，進(jìn)軍美國迅速擴(kuò)張的電動車充電器市場。正如LG商業(yè)解決方案美國公司的高級副總裁Nicolas Min所述，該產(chǎn)品線將包括2級和3級電動車(EV)充電器。這一發(fā)展將為各市、商業(yè)機(jī)構(gòu)和其他公共場所提供新的機(jī)會，通過自主運(yùn)營的充電站助力美國的電氣化進(jìn)程。

  LG 充電樁 電動汽車 983瀏覽量

• SiCMOSFET和IGBT在短路時(shí)的對比2023-12-01 14:54

  

  基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效率和功率密度，并降低了整體系統(tǒng)的成本。

  FOM MOSFET SiC 528瀏覽量

• 三菱電機(jī)與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導(dǎo)體開發(fā)2023-11-30 16:14

  

  三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。

  LG Nexperia 三菱 半導(dǎo)體 407瀏覽量

• SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對比2023-11-30 16:12

  

  在經(jīng)過多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而，在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？

  IGBT MOSFET SiC 1186瀏覽量

• IGBT的廣泛應(yīng)用：讓生活電器更高效2023-11-29 15:44

  

  作為功率半導(dǎo)體器件的重要成員，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）以其卓越的開關(guān)能力和放大特性，在眾多家用電器設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的角色，有效提升能效和性能。例如，在變頻空調(diào)、功率放大器以及電動汽車等設(shè)備中，通過采用IGBT進(jìn)行精準(zhǔn)的電流和電壓控制，實(shí)現(xiàn)了電能的高效轉(zhuǎn)換，節(jié)能并提升設(shè)備續(xù)航和充電速度，最終為我們的生活帶來了許多便利和舒適。

  IGBT 家用電器 電器 727瀏覽量

• 使用晶體管作為開關(guān)2023-11-28 11:15

  

  晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。

  MOSFET 晶體管 電子技術(shù) 1101瀏覽量