深圳市浮思特科技有限公司文章

• 如何用萬用表測試MOSFET2023-09-20 15:09

  

  MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。

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• IGBT在電磁爐中的應(yīng)用及解決方案2023-09-20 15:02

  

  分立式 IGBT 是現(xiàn)代基于逆變器的電磁烹飪產(chǎn)品的首選電源開關(guān)。隨著能源成本持續(xù)上升以及消費(fèi)者對更小型烹飪解決方案的需求增加，IGBT 技術(shù)必須不斷發(fā)展以滿足這些需求。感應(yīng)加熱的基本原理由邁克爾·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年發(fā)現(xiàn)，并由海因里希·倫茨 (Heinrich Lenz) 進(jìn)一步發(fā)展。

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• 什么是變頻器（VFD）？2023-09-19 09:52

  

  IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類似的較慢開關(guān)組件。SCR 的優(yōu)勢在于，其設(shè)計(jì)更簡單，在輸入電壓質(zhì)量可變的情況下更加穩(wěn)健，并且成本相對較低。然而，正如有人提到逆變器上 IGBT 的較高載波頻率可能會(huì)導(dǎo)致問題一樣，整流器前端的 SCR 頻率較低也會(huì)導(dǎo)致問題。前端的這些較慢的開關(guān)頻率可能會(huì)導(dǎo)致電壓源中出現(xiàn)過多的諧波失真。

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• IGBT的應(yīng)用場景與應(yīng)用實(shí)例2023-09-18 14:58

  

  自20世紀(jì)80年代末開始工業(yè)應(yīng)用以來，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）經(jīng)歷了快速發(fā)展。它不僅取代了工業(yè)應(yīng)用中的MOS、GTR等器件，也逐漸取代了消費(fèi)電子應(yīng)用中廣泛使用的BJT、MOS等功率器件，甚至在原本由SCR、SCR為主的大功率領(lǐng)域占有一席之地。GTO、IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的代表，是國際上廣泛認(rèn)可的第三次電力電子技術(shù)革命的典型產(chǎn)物。

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• 什么是SiC MOSFET？2023-09-15 14:22

  

  碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來了新的可能性。

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體 材料 碳化硅 2070瀏覽量

• 什么是快速恢復(fù)二級管（FRD）？2023-09-14 11:29

  

  快恢復(fù)二極管的應(yīng)用包括整流器（尤其是高頻整流器）、各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域的電子電路以及汽車行業(yè)、用于檢測高頻射頻波的無線電信號檢測器，以及模擬和數(shù)字通信電路中用于整流和調(diào)制的目的?？旎謴?fù)二極管之所以被稱為快恢復(fù)二極管，是因?yàn)槠浞聪蚧謴?fù)時(shí)間極短，能夠快速從反向模式切換到正向模式。

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• iPhone 15系列發(fā)布，首款3nm手機(jī)芯片2023-09-13 15:53

  

  蘋果和NVIDIA主導(dǎo)著潮流 據(jù)CommercialTimes報(bào)道，臺(tái)積電的其中一位頂級客戶NVIDIA也在考慮預(yù)訂2納米制程的產(chǎn)能。雖然如此，蘋果仍然是臺(tái)積電最大的收入來源，為該晶圓廠年度總收入的25%，作出了非常令人印象深刻的貢獻(xiàn)。

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• IGBT 晶體管選型解析2023-09-13 15:47

  

  選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù)，因?yàn)檎_的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。

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• 什么是IGBT模塊（IPM Modules）2023-09-12 16:53

  

  IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足高功率、高電壓和高頻率的需求。 IGBT模塊的基本構(gòu)成包括多個(gè)IGBT器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和散熱結(jié)構(gòu)。這些組件相互協(xié)作，使得IGBT模塊能夠在復(fù)雜的電力應(yīng)用中發(fā)

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• 全球新能源汽車IGBT模塊市場分析2023-09-12 16:50

  

  新能源汽車（NEV）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊市場正在全球范圍內(nèi)迅速增長。在北美（NA）地區(qū)，電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的不斷采用推動(dòng)了對IGBT模塊的需求。亞太地區(qū)（APAC），尤其是中國，預(yù)計(jì)將主導(dǎo)市場，原因是該地區(qū)高度關(guān)注NEV技術(shù)并擁有主要電動(dòng)汽車制造商。此外，歐洲國家如德國和英國正在經(jīng)歷NEV銷售的激增，為市場增長做出了貢獻(xiàn)。

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