高性能電容器的領導者）開展合作，以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅（SiC）功率堆棧。該功率堆棧結合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR
2022-06-23 10:23:58
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碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887 
CISSOID與清華大學電機工程與應用電子技術系（簡稱電機系）達成技術合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術難題以求實現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢，并將大力支持在新能源汽車領域開展廣泛應用。
2019-04-08 11:39:362371 CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45894 高溫半導體解決方案供應商CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰(zhàn)略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用。
2019-06-10 14:10:191342 電氣設計專家和SiC功率模塊設計專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊，未來或可能建立功率模塊封測產(chǎn)線。 ? 電動汽車時代，功率模塊和碳化硅地位越來越高 ? 電動汽車與燃油汽車的成本結構產(chǎn)生了很大差異，在電動汽車中，電池
2023-12-04 06:47:00820 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
SiC碳化硅MOS驅動的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅動，更需認真關注
2022-03-24 18:03:24
，換向電感只能在DBC設計的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH，對于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備
2023-04-11 15:29:18
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料。可重復的非線性特性。耐高壓?；旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇?！ ≡谠O計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
）------------------------------------------------------------------------------------------------會議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統(tǒng)和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
10μs，在設計硅IGBT的短路保護電路時，建議將短路保護的檢測延時和相應時間設置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護在3
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點是：化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 高溫半導體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關 JUPITER ，據(jù)稱是首款以簡單0/5V邏輯電平無縫閘極控制的高溫碳化硅高電壓開關
2011-04-14 11:41:581237 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布：公司已與中國科學院電工研究所（簡稱中科院電工所）達成戰(zhàn)略合作關系，將共同開展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目，攻克技術難題，實現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用。
2019-06-11 14:50:593516 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。
2020-03-07 09:31:30950 據(jù)外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:253711 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 高端數(shù)字化智能工廠。 該基地將于2022年3月進行小批量試生產(chǎn)，年中實現(xiàn)量產(chǎn)交付，2022年產(chǎn)能為25萬只模塊，2025年之前將提升至150萬只。 ? 本文圖源?基本半導體 這是基本半導體針對即將迎來爆發(fā)期的新能源汽車碳化硅市場，提前布局、搶
2021-12-31 10:55:432796 
Agarwal 的播客中，我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應用。 討論的文章： 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 15:38:38737 
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:08412 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420953 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923 
功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續(xù)增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領域。
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移
2023-02-16 15:28:254 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應商的產(chǎn)品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當今最嚴格的能效法規(guī)（Energy
2023-02-21 10:06:42898 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:08743 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點
2023-12-14 09:14:46240 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經(jīng)廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個領域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27113 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14293 
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