到負面影響，尤其是中國地區(qū)的業(yè)務(wù)。 ? 為了能夠盡快的解決這一情況，英偉達方面透露，正在為中國開發(fā)新的合規(guī)芯片，但表示這些不會對第四季度的收入做出實質(zhì)性貢獻。 ? 英偉達Q3 業(yè)績大增 ? 從此次英偉達的財報來看，其2024財年第三財季期內(nèi)實現(xiàn)
2023-11-23 00:15:00
1919 （無需散熱）可擴展超小體積，重量僅5g訂貨交期：1-2周 品牌：PICO 產(chǎn)品詳情介紹AVP和AVN系列超高壓輸出電源模塊是PICO公司的插入式
2024-03-20 20:08:16
70565重要參數(shù) 2 Ohm ~0K Ohm 400Hz ~250KHz 100 milliwatt at 1KHz重量僅1.5g提供插件和貼片封裝訂貨交期：1-2
2024-03-20 20:05:32
黃仁勛回應(yīng)中國市場問題 推出L20和H20芯片 在黃仁勛接受全球媒體采訪時黃仁勛強調(diào)了中國市場的重要性。英偉達面向中國市場推出了L20和H20芯片，這些向中國出售的芯片將符合要求。而且黃仁勛表示
2024-03-20 15:45:38434 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 請問下 cyw920719b2q40evb 如何設(shè)置每一個藍牙芯片的mac地址不一樣呢？ 謝謝
2024-03-01 06:12:58
User Data?
Q2:如果Q1的結(jié)果是各區(qū)間無法縮減，那只剩下I2C EEPROM可以放置User Data?
Q3:另外是否能增加code Area的容量，大概可以增加多少?
2024-02-28 08:13:07
line刪除?
我目前實驗過的方式有透過CPU 把embedded line消除，
但因為資料搬動太大，導(dǎo)致沒有畫面輸出。
Q2 : 我想把資料搬移改用DMA去做，想請問做得到嗎?
Q3 : 因DMA
2024-02-28 08:11:23
\" Video 設(shè)備的\"屏幕截圖。 從屏幕截圖中可以看出，我的amcap.exe CAN 識別我當前的視頻類型，F(xiàn)PGA輸出2048 * 2048周期模式。
2024-02-26 08:36:23
Q1：flash的寫接口函數(shù)一次性只能寫一行（row）嗎？
Q2：flash寫之前必須要擦除嗎？
Q3：調(diào)用寫接口后，怎么查看flash內(nèi)部的數(shù)據(jù)是否寫成功？
2024-02-21 08:33:15
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:24
0 **VBsemi CSD17308Q3-VB 產(chǎn)品詳細參數(shù)說明：**- **絲印標識：** VBQF1310- **品牌：** VBsemi- **封裝：** DFN8(3X3)- **通道類型
2024-02-19 15:17:40
蘋果與高通達成協(xié)議，將調(diào)制解調(diào)器芯片（基帶）的許可協(xié)議延長至2027年3月。這一決定由蘋果單方面執(zhí)行，凸顯了蘋果對高通技術(shù)的依賴。
2024-02-02 10:10:08246
小白對電路分析:Q5Q6控制電流方向，TIMERPH2 PH3 MTIOC3A為mcu的定時器。 首先Q5導(dǎo)通，Q6截止，電流經(jīng)過Q4 Q3 從紅色線圈過藍色線圈回到Q5 漏極。
同時Q6導(dǎo)
2024-01-09 12:53:22
請問一下ADP1850/ADP1851 外部的DL/DH MOSFET為什么需要各擺2顆MOSFET,主要用途為何?為什么需要DL/DH需要各擺2顆?就以ADP1850的BSC0902NS
2024-01-09 07:33:10
采用了LTC3789推薦電路設(shè)計的一款12V電源，該電源用于整車上，輸入電源即為蓄電池（7－16V），在GND采用了MOSFET作為防反接，負載為2－3R加熱線，采用200HZ的PWM控制，但是
2024-01-05 07:30:21
各位大佬，
萌新一枚，在查LT8612的時候看到了這個原理圖，研究了一下，有幾個問題想不明白，請教一下各位大佬。
請問一下Q5的作用是什么，Q2和Q3是開關(guān)管嗎，還有就是LTC3632的Iset的806K的電阻是是干嘛的，是設(shè)計上電時間的嘛
2024-01-05 06:36:59
根據(jù)全球主要的存儲芯片原廠最新財報梳理可知：Q3整體庫存仍處于較高水平，整體庫存高位在Q1達到峰值，Q2有所回調(diào)，Q3下降相對明顯。
2023-12-27 14:51:34159 
型號：CSD17579Q3A-VB絲?。篤BQF1310品牌：VBsemi參數(shù)：- N溝道 MOSFET- 額定電壓：30V- 最大持續(xù)電流：40A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：11m
2023-12-20 10:47:53
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890 
讓IoT傳感器節(jié)點更省電：一種新方案，令電池壽命延長20%！
2023-11-30 17:12:17317 
USB線如何快速延長？USB延長線太長會有影響嗎？USB延長線帶電源怎么使用？ USB（Universal Serial Bus，通用串行總線）是一種常見的數(shù)字通信接口，用于連接電腦和其他外部設(shè)備
2023-11-28 15:51:011591 據(jù)芯八哥不完全統(tǒng)計，在2023年前三季度，A股主控芯片、存儲器、模擬芯片、功率器件、傳感器、通信芯片、被動器件等7大細分行業(yè)中，僅功率器件和被動器件表現(xiàn)較好，其余賽道和去年相比，業(yè)績同比下滑明顯；而在今年Q3季度，受此前庫存管控的影響
2023-11-22 16:22:19544 
鎧俠公司為應(yīng)對存儲芯片價格的持續(xù)下跌，從2022年10月開始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價格將比q2上漲5%至9%，出貨量將比前一個月減少10至14%。以美元為準，nand閃存價格將比前一個月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 近段時間生產(chǎn)線上的K型溫度傳感器時不時報錯，不能正常顯示溫度值，現(xiàn)場的溫度傳感器距離電柜有10米左右距離，且要過地溝，地溝內(nèi)環(huán)境不是很好，潮濕有時還存在水，熱電偶本身線3米，通過接線端子過渡再加一段
2023-11-15 07:57:53
經(jīng)歷漫長的下行周期之后，存儲芯片市場價格止跌，部分型號存儲芯片價格出現(xiàn)反彈，該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
2023-11-14 10:47:57617 MHz,
這個條件的意思是實際上這兩個指標并沒有實際測試，只是在上述測試條件下，測試出此時的輸出2階交調(diào)和3階交調(diào)分量，然后通過公式計算得到的。
請問，我的理解對么？能給出相關(guān)的計算過程么？
2023-11-13 13:52:34
三星電子的核心半導(dǎo)體、半導(dǎo)體部門q3繼上季度（4萬4000億韓元）之后，出現(xiàn)了3萬7500億韓元的營業(yè)虧損。這是因為雖然dram和nand的價格出現(xiàn)恢復(fù)勢頭，但由于存儲器市場低迷，無法避免虧損，再加上智能手機和電腦的需求減少。
2023-10-31 14:39:22428 怎么才能延長這個讀寫壽命
2023-10-24 07:50:49
GDZ6V2LP3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的GDZ6V2LP3Q這款適用于需要特定變更控制的汽車應(yīng)用；該部件符合 AEC-Q101 標準，具有 PPAP 能力，并在 IATF
2023-10-23 09:33:03
如何延長FLASH的讀寫壽命?
2023-10-23 06:46:23
最大占空比和PWM頻率的振蕩器。它還具有開機可編程軟啟動時間、短路PMOS關(guān)閉和自動重新啟動保護功能。
特征
?精密反饋參考電壓：0.5V（2%）
?寬電源電壓工作范圍：3.6至20V
?低電流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
在讀寫次數(shù)不變的情況下，如何盡可能的延長flash讀寫壽命
2023-10-13 07:22:56
D3V3Q1B2LP3 產(chǎn)品簡介DIODES 的 D3V3Q1B2LP3 這款新一代 TVS 旨在保護敏感電子設(shè)備免受 ESD 損壞。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的結(jié)合使其非常適合
2023-10-11 09:47:55
恒流輸出電源芯片20W電路圖
2023-10-07 09:18:390 2N7002Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 2N7002Q該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準，并由 PPAP 支持。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-09-25 14:34:57
DMTH6005LK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH6005LK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AECQ101 資格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 19:31:41
DMTH6004SK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH6004SK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AECQ101 資格并得到 PPAP 支持。
2023-09-20 16:54:39
FP6102 20V、3A降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器芯片
一般說明
FP6102是一種用于廣泛工作電壓應(yīng)用領(lǐng)域的降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器。FP6102包括高電流P-MOSFET，用于將輸出電壓與反饋放大器進行比較
2023-09-19 14:36:57
DMTH3004LK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMTH3004LK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AECQ101 資格并得到 PPAP 支持。
2023-09-19 14:01:02
DMPH3010LK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMPH3010LK3Q 這種MOSFET是為滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求而設(shè)計的。它符合AEC-Q101的要求，并得到PPAP的支持
2023-09-15 15:28:32
DMP4015SK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4015SK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準，受 PPAP 支持，非常適合
2023-09-14 19:38:09
DMP4011SK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4011SK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。
2023-09-14 12:37:28
DMP4010SK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4010SK3Q 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效
2023-09-14 11:43:55
9月12日，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo)，三星電子近期與客戶（谷歌等手機制造商）簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議，DRAM和NAND閃存芯片價格較現(xiàn)有合同價格上調(diào)10%-20％。三星電子預(yù)計，從第四季度起存儲芯片市場或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18206 隨著行動內(nèi)存芯片市場跡象顯示出復(fù)蘇跡象，并且最早在第四季度供不應(yīng)求，三星電子已宣布將提高動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存芯片的價格，幅度達到10%~20%。 韓國經(jīng)濟日報報道，知情人
2023-09-13 14:22:34486 STEVAL-IPMNG3Q 是一種基于 SLLIMM?-nano（小型低損耗智能成型模塊）第 2 系列產(chǎn)品（STGIPQ3H60T-H）的緊湊型電機驅(qū)動電源板。該產(chǎn)品為驅(qū)動大功率電機提供了一種經(jīng)濟
2023-09-13 07:01:19
DMP3007LK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP3007LK3Q 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴格要求。它符合 AEC-Q101 標準并得到 PPAP 支持。
2023-09-12 19:05:20
DMN4030LK3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMN4030LK3Q 這種MOSFET的設(shè)計滿足汽車應(yīng)用。它符合 AEC-Q101 標準，并由 PPAP 支持。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-09-08 16:58:16
快速訂制需求，同時交期短、供貨快。主要應(yīng)用于200G/400G PAM4高速業(yè)務(wù)的通信領(lǐng)域。產(chǎn)品特點芯片COC全工藝國產(chǎn)，自主可控低噪聲，高靈敏度性價比高，交期短
2023-08-28 15:37:05
供應(yīng)AP2080Q 30A 20V耐壓mos DFN3*3封裝，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2080Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:43:18
新唐有過AEC-Q100認證的MCU沒,適合前裝或者后裝的芯片?
2023-08-21 06:48:09
DMA-330周期型號是一款高性能、面積優(yōu)化的SDRAM或移動SDR內(nèi)存控制器，可為DMA傳輸提供AXI接口。
它由兩個APB接口編程和控制，一個在TrustZone安全模式下運行，另一個在非安全
2023-08-16 06:41:45
50瓦Mosfet放大器的第一級是基于晶體管Q1和Q2的差分放大器。電容器 C8 是直流輸入去耦，C1 R1 限制輸入電流，并且電容器旁路不需要的高頻。第二級由導(dǎo)頻相晶體管Q3和Q4組成。輸出級是基于MOSFET IRF9530和IRF530的互補推挽級。
2023-08-11 17:44:50978 
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。
2023-08-10 18:17:49854 
所用的表面光潔度。有些表面處理具有較長的保質(zhì)期，而另一些則不然。
PCB 組裝可延長 PCB 保質(zhì)期
當生產(chǎn)商將 PCB 交付給各自的客戶時，要做的一件重要的事情就是對 PCB 組裝進行 IQC
2023-07-30 17:16:19
最新研究報告表明，電視面板價格正在持續(xù)上漲，并預(yù)計未來的趨勢將繼續(xù)上漲。自2023年2月以來，各尺寸電視面板的價格已經(jīng)累計上漲超過20%，超過了面板廠商的總成本。
2023-07-24 16:37:18826 根據(jù)介紹，明確新能源汽車車輛購置稅減免政策延長4年，即延長至2027年12月31日。其中——對在2024年1月1日至2025年12月31日期間購置的新能源汽車免征車輛購置稅，每輛汽車免稅額不超過3萬元。
2023-07-20 15:52:17576 UPA2600T1R 數(shù)據(jù)表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-07-13 19:54:300 UPA2631T1R 數(shù)據(jù)表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-07-13 19:54:050 今年Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點。
2023-07-03 10:48:31613 SBRT05U20S3Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的 SBRT05U20S3Q 采用緊湊型SOD323包裝提供超低正向電壓降（VF）和在高溫下提供優(yōu)異的低反向泄漏穩(wěn)定性。它非常適合用作整流
2023-06-13 18:03:15
高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用先進的工藝制造技術(shù)，進一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
我正在設(shè)置 2 個帶 imx8mp 主板的級聯(lián) SJA1105Q 芯片。我們設(shè)法升級到 linux 內(nèi)核 6.1.1 以獲得更多 SJA1105Q DSA 驅(qū)動程序更新?，F(xiàn)在我們可以讓級聯(lián)的DSA
2023-05-29 06:30:57
熱點新聞 1、三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期” 據(jù)最新報道，美國拜登政府已經(jīng)向韓國領(lǐng)先的芯片公司發(fā)出信號，表示將延長允許它們將美國芯片制造設(shè)備運往中國的許可，稱這是對盟友的讓步，也是
2023-05-11 20:16:37632 
到貨，部分型號較于1月初降價明顯。而部分難以替換的汽車芯片依舊熱門，交期目前52周起步，價格居高不下；即便有低價貨流入市場也是被光速清貨，如用于車身穩(wěn)定系統(tǒng)的L9369、用于安全氣囊的L9680等等
2023-05-10 10:54:09
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:023037 
點式漏水傳感器，采用交變電流采集積水的電感參數(shù)，電極即使長時間浸泡，也不會發(fā)生電泳極化，不依賴特殊電極，做到壽命長，檢測可靠。
網(wǎng)上看到的定義，請各位指教一下，交變電流采集積水的電感參數(shù)，是怎么實現(xiàn)的？
2023-04-26 11:58:09
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
您能否建議如何對 HT2DC20S20 dfevice 進行編程？ 你能推薦一個硬件工具嗎？
2023-04-11 06:51:01
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。KM3134K是一款20V750mA的N-MOSFET，KM3139K則是-20V-660mA的P-MOSFET，兩款器件
2023-04-04 16:10:39987 
，左下為6個MOS的PWM波形?！ 〉谝簧葏^(qū) 狀態(tài)一： Q1/Q2/Q6導(dǎo)通，此時不存在續(xù)流，電流流向用紅色手繪線表示 狀態(tài)二： 在此位置Q3即將打開，Q6關(guān)閉。為了避免出現(xiàn)上下直通，需要插入死區(qū)
2023-04-04 15:36:31
快速成長，報bom是不二選擇，這個我會在第2點說）炒料：是原廠交期長，然后渠道，香港現(xiàn)貨，分貨等，都被一家或者數(shù)家公司一起吃掉，如果遇到這種型號，你去找型號，發(fā)現(xiàn)一個型號有N家公司有現(xiàn)貨排名，且報價
2023-04-03 14:13:19
《致敬未來的攻城獅計劃》第2期摘要：一個嶄新的計劃，尋找那群有志于向嵌入式發(fā)展的未來工程師！1 活動計劃初衷**《致敬未來的攻城獅計劃》來源于架構(gòu)師李肯的一個念想，我一直在尋找那群渴望學(xué)習并專注于
2023-04-03 13:31:36
UPA2600T1R 數(shù)據(jù)表 (N-CHANNEL MOSFET / 20 V, 7.0 A, 13.8 m-Omega)
2023-03-31 18:48:290 UPA2631T1R 數(shù)據(jù)表 (P-CHANNEL MOSFET / -20 V, -6.0 A, 32 m-Omega)
2023-03-31 18:48:160 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
”是什么意思？我找不到它的縮寫。Q3:SDRAM 的 Bank Address Bits (BA0 and BA1) 到底是什么意思？為什么SRAM/NAND/NOR/DBI沒有BA0和BA1。我找不到 BA 的確切定義。
2023-03-29 08:09:01
或反向地施加到電動機上，從而實現(xiàn)正向、反向轉(zhuǎn)動和制動等功能?！ ≡撾娐酚伤膫€獨立開關(guān)管（MOSFET）組成，在H橋電路中，兩個開關(guān)管組成一對，如上圖所示。當我們接通Q1和Q4，關(guān)閉Q3和Q2時，電源
2023-03-27 16:28:00
、S32K144EVB-Q100和S32K142EVB-Q100有什么區(qū)別嗎，我查了兩塊板子的datasheet，兩塊板子的特性沒有區(qū)別。（只有芯片）2. 我可以通過 MC33771C/772C 評估 GUI 下載 S32K142EVB-Q100 的 SREC 3. FRDM33771CSPEVB 是否有示例代碼？
2023-03-27 06:52:10
我想索取S32K3X4EVB-Q172開發(fā)板的3D模型。我已經(jīng)下載了硬件設(shè)計文件，但沒有包含 3D 模型。你能給我一份 .step 格式的嗎？
2023-03-24 07:12:57
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論