BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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、制造成本低：厚膜電阻器制造成本低，制造工藝簡單，生產(chǎn)效率高，因此產(chǎn)品價格比薄膜電阻器更經(jīng)濟。
4、耐高溫、高濕、耐熱性能強：厚膜電阻器在高溫、高濕、耐熱性能較好，在惡劣環(huán)境下長期使用具有更高的穩(wěn)定性
2024-03-15 07:17:56
由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。
2024-03-13 09:49:05103 
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
**一、微弧氧化脈沖電源技術(shù)原理**微弧氧化脈沖電源技術(shù)是一種基于電化學(xué)原理的電源技術(shù)。其工作原理是利用脈沖電流在電解質(zhì)中產(chǎn)生的電化學(xué)反應(yīng)，使金屬表面形成一層致密的氧化膜，從而提高金屬表面的耐磨性
2024-02-25 17:57:30
的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
硅（Si）、二氧化硅（SiO2）、鍺（Ge）等。其中，硅是最為常見和廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一，它具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和機械性能，因此硅材料具有廣泛的應(yīng)用前景。硅晶體的晶體結(jié)構(gòu)為鉆
2024-02-04 09:46:07456 為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機械拋光 技術(shù)進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點，簡述了化學(xué)機械拋光技術(shù)對碳化硅
2024-01-24 09:16:36431 
溫度、比熱容及熱焓等。紫薯抗性淀粉的制備工藝及物理學(xué)特性研究【（1、吉林省農(nóng)業(yè)科學(xué)院農(nóng)產(chǎn)品加工研究所2、吉林農(nóng)業(yè)大學(xué)食品科學(xué)與工程學(xué)院，馬林元；李璐；孫洪蕊；劉香英
2024-01-23 10:31:5189 
的制備成本相當(dāng)高，因此人們通常希望能夠從一個大型碳化硅晶錠中切割出盡可能多的薄碳化硅晶片襯底。而工業(yè)的發(fā)展使得晶片尺寸不斷增大，這使人們對切割工藝的要求變得更加嚴(yán)格。然而，碳化硅材料的硬度極高（莫氏硬度為9.5，僅次于世界上最硬的金剛石），同時又具有晶體的脆性，因此難以切割。
2024-01-23 09:42:20704 
%。 ? 成本占比較高的原因，主要是碳化硅單晶材料的制備難度較大。硅由于存在液體形態(tài)，所以可以通過垂直拉伸來形成晶棒，但碳化硅本身屬于化合物，無法直接熔融結(jié)晶成為晶體。換個說法就是碳化硅在常壓下沒有液體形態(tài)，只有氣態(tài)和固態(tài)，達到
2024-01-21 07:48:001670 高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(p型TOPCon)是進一步提高TOPCon硅太陽能電池效率的可行技術(shù)方案。化學(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層，成為制備TOPCon結(jié)構(gòu)最有前途的工業(yè)路線之一
2024-01-18 08:32:38287 
材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質(zhì)原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:14292 
。 一、電解電容的工藝 電解電容的制造工藝主要包括電極制備、介質(zhì)制備、裝配和封裝等步驟。 電解電容是用金屬作為陽極（Anode），并在表面形成一層金屬氧化膜作為介質(zhì)；然后濕式或固態(tài)的電解質(zhì)和金屬作為陰極（Cathode）。電解
2024-01-10 15:58:43293 
薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進行詳細(xì)的介紹
2024-01-10 15:41:54443 
層。例如P型襯底層、N型擴散區(qū)層、氧化膜絕緣層、多晶硅層、金屬連線層等。芯片布圖有多少層，制造完成后的硅晶圓上基本就有多少材料介質(zhì)層。根據(jù)工藝安排，材料介質(zhì)層的層數(shù)也許還會有增加。圖3.芯片布圖中
2024-01-02 17:08:51
2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶。通過增加單晶襯底的直徑和質(zhì)量，可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35339 
石墨烯的制備方法主要有2類（圖1）：一為“自上而下”法，即通過物理或者化學(xué)方法對碳材料進行剝離或者剪切，從而獲得高品質(zhì)石墨烯，主要包括機械剝離法、氧化還原法及電弧放電法等。
2023-12-27 10:23:37135 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112726 
當(dāng)前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
。然而，如果選擇了不易防止氧化的材料，就容易導(dǎo)致引腳氧化，進而影響晶振正常工作。 2. 工藝環(huán)境不當(dāng)：晶振引腳的工藝環(huán)境可能包含一些有害氣體或者化學(xué)物質(zhì)，如高溫、濕度環(huán)境、酸堿溶液等，這些環(huán)境下會加速引腳的氧化。特別
2023-12-18 14:36:50241 沉積到PCB焊盤表面的一種工藝。這種方法通過在焊盤表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點與缺點并存，優(yōu)點是可焊性、平整度高，缺點是存儲要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用，但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和應(yīng)用方面存在一些顯著差異。本文將詳細(xì)介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531785 、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:51740 [半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
化學(xué)機械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢介紹。
2023-11-29 10:05:09348 本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格
2023-11-27 16:15:55331 
我們知道銅長期暴露在空氣中會產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)使得銅氧化，因為pcb電路板廠家往往會在PCB表面做一些處理，來保證pcb電路板的穩(wěn)定性和可靠性。pcb表面處理工藝有很多種，pcb噴錫就是其中一種，本文小編將和大家談?wù)刾cb噴錫工藝一些知識。
2023-11-21 16:13:34760 隨著各行業(yè)努力提高效率、減少環(huán)境影響和加強創(chuàng)新，化學(xué)工程變得越來越重要，需要不斷創(chuàng)新以滿足不斷變化的消費者需求和監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。 生成式人工智能為化學(xué)工程師提供了無與倫比的工藝優(yōu)化、材料合成和質(zhì)量控制能力
2023-11-12 11:30:59569 近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
進行了深入分享，干貨滿滿，一睹為快~ 安森美中國區(qū)汽車市場技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 碳化硅的工藝迭代 如今，碳化硅頭部企業(yè)都在量產(chǎn)平面柵結(jié)構(gòu)的碳化硅器件，同時也在研發(fā)柵極結(jié)構(gòu)工藝。 在柵極結(jié)構(gòu)方面，安森美量產(chǎn)的第三
2023-11-01 19:15:02394 
碳化硅（SiC）是一種硬度極高、化學(xué)穩(wěn)定性強的非金屬材料，由碳和硅兩種元素組成。它最早在1893年由瑞典化學(xué)家亨利克·莫松通過電爐加熱碳化硅粉末發(fā)現(xiàn)。碳化硅具有許多優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，如高硬度、高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的耐磨性和抗腐蝕性，使其在各種工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。
2023-10-31 13:11:12455 
從去年至今，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。
2023-10-25 09:12:38127 
磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窩狀結(jié)構(gòu)，膜層的空隙率決定于電解液的類型和氧化的工藝條件。氧化膜的多孔結(jié)構(gòu)，可使膜層對各種有機物、樹脂、地蠟、無機物、染料及油漆等表現(xiàn)出良好的吸附能力，可作為涂鍍層的底層，也可將氧化膜染成各種不同的顏色，提高金屬的裝飾效果。
2023-10-11 15:59:04901 
碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05812 
PECVD作為太陽能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 和化學(xué)品以及哪些接口板適用于氧化鋯氧傳感器。 一、特定的氣體和化學(xué)品對氧化鋯氧傳感器產(chǎn)生不良影響 可燃性氣體 少量可燃?xì)怏w將在傳感器的熱Pt電極表面或AI2O3過濾器處燃燒。一般來說，只要有足夠的氧氣，燃燒將是化學(xué)計量的，
2023-09-26 11:50:50303 
碳化硅又稱金剛砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料，經(jīng)電阻爐高溫冶煉而成。事實上，碳化硅在很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。其特點是:化學(xué)性能穩(wěn)定，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等級
2023-09-22 15:11:04306 
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達到
2023-09-19 07:23:03
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢進行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41665 ，本文將介紹高壓放大器在制備功能材料中的應(yīng)用和作用。 高壓放大器在制備功能材料的電化學(xué)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要的作用。在電化學(xué)合成和電化學(xué)分析中，通常需要施加特定的電勢或電壓來促進反應(yīng)的進行或測量樣品的電化學(xué)行為。高
2023-09-08 14:22:59189 
。
2、制造工藝不同
薄膜電阻的制造工藝主要有物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積兩種方法，而貼片電阻則是通過在陶瓷基片上沉積金屬電極，并將焊錫端子焊接在金屬電極上的方式制成。
3、尺寸大小
2023-09-01 17:49:47
微弧氧化技術(shù)工藝流程
主要包含三部分：鋁基材料的前處理，微弧氧化，后處理三部分
其工藝流程如下：鋁基工件→化學(xué)除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗。
2023-09-01 10:50:341235 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進行分析。
2023-08-31 14:14:22285 濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 
一氧化碳是一種無色無味的氣體，對人體有極高的毒性，大量吸入會導(dǎo)致嚴(yán)重的健康問題，甚至可能致命。因此，一氧化碳的實時監(jiān)測和報警至關(guān)重要。在線式固態(tài)電化學(xué)一氧化碳報警儀憑借其高精度、快速響應(yīng)和穩(wěn)定性
2023-08-11 11:30:42350 石墨烯作為一種特殊的二維材料，具有高導(dǎo)電性、 高比表面積以及優(yōu)異的化學(xué)和機械穩(wěn)定性，金屬氧化物納米顆粒與石墨烯結(jié)合制備獲得的復(fù)合催化劑材料，可增強催化劑體系的導(dǎo)電性、分散性、ORR活性以及穩(wěn)定性
2023-08-11 10:45:39364 采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)化切割工藝參數(shù)，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學(xué)品。氫氟酸能夠與SiO2發(fā)生反應(yīng)，生成揮發(fā)性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅(qū)動的話，請問去驅(qū)動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
由遇水膨脹的交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡(luò)組成的超薄水凝膠薄膜，具有類似生物組織的柔軟和保濕特性，在柔性生物傳感器和可穿戴電子產(chǎn)品中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，實現(xiàn)這種薄膜的高效和連續(xù)制備仍然是一個挑戰(zhàn)。
2023-07-24 18:23:462109 
據(jù)漢思化學(xué)了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動電子產(chǎn)品的性能不斷得到擴展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當(dāng)今的消費類產(chǎn)品中獲得了日益廣泛的應(yīng)用。為了使封裝獲得更高的機械可靠性，需要對多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45544 
行業(yè)簡介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點是：在普通
2023-07-21 16:01:32
MAO電參數(shù)主要包括電流密度（恒流模式）、氧化電壓（恒壓模式）、頻率（脈沖電源） 和占空比（脈沖電源） 等。不同電源類型或工作模式，各電參數(shù)對膜層厚度、表面結(jié)構(gòu)及性能的影響規(guī)律基本一致。但由于電解液
2023-07-19 16:45:41
臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢的各種水性應(yīng)用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學(xué)品的成本，同時
2023-07-07 17:25:07162 氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:154542 目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56543 
化學(xué)工業(yè)（chemical industry）又稱化學(xué)加工工業(yè)，泛指生產(chǎn)過程中化學(xué)方法占主要地位的過程工業(yè)。化學(xué)工業(yè)是從19世紀(jì)初開始形成，并發(fā)展較快的一個工業(yè)部門。化學(xué)工業(yè)在許多國家的國民經(jīng)濟
2023-06-16 10:28:14255 
銅基復(fù)合材料的制備工藝與綜合性能，重點討論了各種制備工藝的特點、強化機制、構(gòu)型設(shè)計，總結(jié)了針對復(fù)合界面結(jié)合弱與石墨烯分散困難這2類主要技術(shù)難點的解決途徑，最后對石墨烯增強銅基復(fù)合材料的制備工藝進行了展望。
2023-06-14 16:23:483052 
安科瑞 梅岑彬 咨詢家：Acrelmaycbn 項目概述： 心連心化學(xué)工業(yè)集團位于河南省新鄉(xiāng)市新鄉(xiāng)縣，是一家致力于化肥、基礎(chǔ)化學(xué)的大型化工集團。本項目為心連心新建年產(chǎn)40萬噸雙氧水項目一期，所有低壓
2023-06-12 08:44:48251 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院（KIT）開發(fā)的一種新型3D打印工藝可生產(chǎn)出直接打印到半導(dǎo)體芯片上的納米精細(xì)石英玻璃結(jié)構(gòu)。
2023-06-11 09:34:241078 
C2H2和H2作為一種十分重要的化學(xué)和能源原料，能夠被部分氧化法有效且環(huán)保的生產(chǎn)制備。
2023-06-09 14:07:29467 
隨著科技的不斷發(fā)展和進步，傳感器技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和改進。其中，傳感器厚膜工藝術(shù)是一種比較新的工藝，具有廣泛的應(yīng)用前景和市場需求。本文將從傳感器厚膜工藝術(shù)的定義、原理、制備方法、特點、應(yīng)用等方面進行探討。
2023-06-07 09:20:14557 覆銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工藝：是一種用于制備高密度電子封裝材料的工藝方法。
2023-06-06 15:31:51700 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結(jié)構(gòu)單元SiC構(gòu)成，每個SiC結(jié)構(gòu)單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學(xué)蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
覆銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）工藝：是一種用于制備高密度電子封裝材料的工藝方法。 該工藝是微電子制造中進行金屬膜沉積的主要方法，主要用蒸發(fā)、磁控濺射等面沉積
2023-05-23 16:53:511333 
為了提高厚度和尺寸的均勻性，避免制備出的Bi?O?Se樣品結(jié)塊，Pang等人提出了一種新的濕化學(xué)工藝——兩步膠體合成法。該方法在溶液的配比上進行了調(diào)整并趨于穩(wěn)定狀態(tài)，抑制了樣品的結(jié)塊現(xiàn)象，使得樣品
2023-05-22 15:28:59474 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進行了合成，并對制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
能、成本等有不同影響，加之不同粒徑的影響，在體系中會形成一定的孔隙，影響導(dǎo)熱界面材料的導(dǎo)熱系數(shù)。本文將從以下幾個方面探討不同形貌、不同粒徑的氧化鋁導(dǎo)熱粉體的搭配工藝，為制備高導(dǎo)熱硅膠墊片提供參考。
2023-05-12 14:57:30385 密度、低導(dǎo)熱系數(shù)等特性，使氣凝膠在建筑、航空航天、儲能、氣體檢測、催化、吸附、傳感器和熱管理等領(lǐng)域工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。硅基氣凝膠因其導(dǎo)熱系數(shù)低、熱穩(wěn)定性強而被廣泛用作輕質(zhì)保溫材料，現(xiàn)已顯示出巨大的商業(yè)價值，有助于減少碳排放。二氧化硅氣凝膠是一種具有超低密
2023-05-10 09:13:53351 
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
、核聚變等領(lǐng)域，成為先進的高溫結(jié)構(gòu)及功能材料。本文綜述了高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷基復(fù)合材料制備及性能等方面的最新研究進展。研究通過引入高導(dǎo)熱相，如金剛石粉、中間相瀝青基碳纖維等
2023-05-06 09:44:291639 
隨著碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的制備和研究工作取得巨大的進展，對基于碳化硅材料的紫外探測器件的研究得到了業(yè)界更多的關(guān)注。
2023-04-24 16:54:091598 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：金屬氧化物半導(dǎo)體的制造 編號：JFKJ-21-207 作者：炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設(shè)計規(guī)則 ? 互補金屬氧化
2023-04-20 11:16:00247 
3.14億美元，2019—2025年復(fù)合增長率為17%。同時，光伏組件功率密度的持續(xù)提升，也對碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏帶來的市場機遇，碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個維度發(fā)力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:07582 
，可以應(yīng)對多次回流焊工藝。和ENIG一樣，ENEPIG也符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。3、化學(xué)沉銀化學(xué)沉銀也是一種非電解的化學(xué)工藝，通過讓PCB完全浸沒到一種銀離子溶液中，使銀附著到銅表面。與ENIG相比，該工藝
2023-04-19 11:53:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
為了解決以上難題，研究人員提出了一種基于超薄、柔性、自冷卻降溫界面（簡稱降溫界面）的通用熱管理技術(shù)。降溫界面由具有高紅外發(fā)射的高分子聚合物（聚苯乙烯丙烯酸）和三種功能填充劑（二氧化鈦納米顆粒，二氧化硅微球，熒光顏料顆粒）構(gòu)成
2023-04-16 10:59:501050 近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 超薄PCB打樣到底是怎樣確定厚度的？
2023-04-14 15:15:12
；另外噴錫板的待用壽命（shelf life）很短。而鍍金板正好解決了這些問題。對于表面貼裝工藝,尤其對于0603及0402 超小型表貼,因為焊盤平整度直接關(guān)系到錫膏印制工序的質(zhì)量,對后面的再流焊接
2023-04-14 14:27:56
電鍍又稱電沉積，是一種功能性金屬薄膜的制備方法。電鍍本質(zhì)上屬于種電化學(xué)還原過程
2023-04-11 17:08:002977 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:48
17 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度與機械強度較高的優(yōu)勢，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-30 14:10:221079 老化試驗。本試驗箱采用目前*合理的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定可靠的控制方式，使其具有外觀美觀，操作簡便、溫濕度控制精度高，它是做恒溫恒濕試驗的理想設(shè)備。它具有如下性能特點：■ 采用水銀導(dǎo)電表控制溫、濕度，簡易可靠
2023-03-28 09:02:36
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284
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