、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。WD4000國產(chǎn)晶圓幾何形貌量測設(shè)備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單
2024-03-15 09:22:08
,而實際的產(chǎn)品誤差值會更小。晶發(fā)電子實際測試數(shù)據(jù)顯示，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為±30ppm，我司產(chǎn)晶振可實現(xiàn)±5ppm。
·溫度頻差
在不同的溫度范圍(-2070℃普通級/民用級晶振；-4085℃工業(yè)級晶振；-55
2024-03-04 13:48:39
的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00
119 
以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。
2024-02-25 16:51:10482 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)是通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷?？杉嫒莶煌馁|(zhì)
2024-02-21 13:50:34
熱阻測試和可靠性測試。結(jié)果表明，該半燒結(jié)型銀漿的工藝操作性好，燒結(jié)后膠層空洞率低；當(dāng)膠層厚度控制在30 μm左右時，剪切強度達(dá)到25.73 MPa；采用半燒結(jié)型銀漿+TSV轉(zhuǎn)接板的方式燒結(jié)功放芯片，其導(dǎo)熱性能滿足芯片的散熱要求；經(jīng)過可靠性測
2024-01-17 18:09:11185 
ADuCM360下載程序需要專用轉(zhuǎn)接板嗎?還是USB轉(zhuǎn)TTL可直接下載？在網(wǎng)上看到似乎需要一個這樣的轉(zhuǎn)接板，接口定義也是如此。
2024-01-15 07:27:17
傳統(tǒng)封裝需要將每個芯片都從晶圓中切割出來并放入模具中。晶圓級封裝 (WLP) 則是先進(jìn)封裝技術(shù)的一種 , 是指直接封裝仍在晶圓上的芯片。
2024-01-12 09:29:13336 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:131879 
WD4000半導(dǎo)體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
元件，具有完全的偏振靈活性。其他功能包括溫度增益補償和溫度報告。該芯片的所有引腳均具有 ESD 保護(hù)，采用 +1.2V 電源供電，并采用 WLCSP（晶圓級芯片級
2024-01-02 15:34:01
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進(jìn)行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
WD4000晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV
2023-12-20 11:22:44
本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-15 17:20:36807 
中圖儀器WD4000無圖晶圓幾何形貌量測系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
以來迅速發(fā)展的新型微電子封裝技術(shù)，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統(tǒng)封裝（SIP）等項技術(shù)。介紹它們的發(fā)展?fàn)顩r和技術(shù)特點。同時，敘述了微電子
2023-12-11 01:02:56
~ 3.63V)
針對低功耗設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化
支持最小封裝尺寸至1.6 x 1.2 x 0.6mm
氣密金屬陶瓷封裝
通過AEC-Q200認(rèn)證（車規(guī)級）
02
SPXO & TCXO
2023-12-07 09:30:19
設(shè)計時，AD2S1210的時鐘輸入采用8.192MHZ的有源晶振，選擇晶振時對有源晶振的功率有什么要求？？？一個有源晶振能不能給兩個AD2S1210芯片提供時鐘輸入？？？感謝！
2023-12-07 07:07:43
晶圓測溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
率低；當(dāng)膠層厚度控制在30μm左右時，剪切強度達(dá)到25.73MPa；采用半燒結(jié)型銀漿+TSV轉(zhuǎn)接板的方式燒結(jié)功放芯片，其導(dǎo)熱性能滿足芯片的散熱要求；經(jīng)過可靠性測試后，燒結(jié)芯
2023-12-04 08:09:57446 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57324 你好：
我目前在用adau1442，現(xiàn)在調(diào)試方式都是用貴公司的USBI轉(zhuǎn)接板，我是想了解，是否可以不通過USBI轉(zhuǎn)接板直接進(jìn)行軟件控制呢或者貴公司可以提供轉(zhuǎn)接板資料我直接集成到我的電路板上，這樣以便產(chǎn)品的推廣。
謝謝
2023-11-30 07:30:44
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術(shù)中的關(guān)鍵實現(xiàn)技術(shù)。半導(dǎo)體行業(yè)一直在使用HBM技術(shù)將DRAM封裝在3DIC中。
2023-11-27 11:40:20211 
請問像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過孔和線路都無法布入，或者有沒有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
并瓜分全部的市場份額，在新應(yīng)用催化下，也為后端封測廠和TSV設(shè)備公司帶來了市場機會。 硅通孔 /? TSV(Through-Silicon Via) 硅通孔TSV是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律演進(jìn)的互連
2023-11-09 13:41:212341 
在上篇文章中介紹了扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝，這篇文章著重介紹硅通孔(TSV)封裝工藝。
2023-11-08 10:05:531825 
。WD4000晶圓幾何形貌測量及參數(shù)自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
專利摘要顯示，本公開實施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板以及間隔貼裝在轉(zhuǎn)接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之間相互間隔設(shè)置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一側(cè)形成第一間隙槽，第一器件和第二器件之間形成第二間隙槽
2023-11-06 10:44:22301 
SOM-3588-LGA 是一款基于Rockchip RK3588芯片平臺，采用LGA（506pin）封裝設(shè)計的一款極小尺寸的商規(guī)級核心板?，F(xiàn)在核心板 SOM-3588-LGA（商業(yè)級
2023-10-23 11:50:30
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測量設(shè)備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半導(dǎo)體晶圓檢測設(shè)備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
[迪拜，阿聯(lián)酋，2023年10月17日]今日，在GITEX2023期間，主題為“IP商機無限，共贏智能化未來”的商業(yè)市場IP Club備受矚目。來自阿聯(lián)酋、沙特等多個國家和地區(qū)的70多位伙伴共聚一堂
2023-10-17 23:30:02370 
手冊，更有MAX77540EVKIT: Evaluation Kit for the MAX77540 in
WLP Package Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-16 19:10:59
MAX6069: 1μA WLP Precision Shunt Voltage Reference Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX6069: 1μA WLP
2023-10-16 18:45:26
MAX17227JEVK-WLP: Evaluation Kit for the MAX17227J Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX17227JEVK-WLP
2023-10-16 18:35:32
手冊，更有Evaluation Kit for the MAX18000 and MAX18002 in WLP Package Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-12 18:53:03
MAX38647BEVKIT: MAX38647B WLP Evaluation Kit Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX38647BEVKIT: MAX38647B WLP
2023-10-12 18:47:52
:WLP包裝數(shù)據(jù)表MAX77837MAX77837的 MAX77837評價包的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX77837EVKIT:WLP包裝數(shù)據(jù)表MAX77837MAX77837
2023-10-10 19:15:37
)數(shù)據(jù)表的評估工具包的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX77857WGEVKIT:MAX77857(WLP)數(shù)據(jù)表的評估工具包真值表，MAX77857WGEVKIT:MAX77857(WLP)數(shù)據(jù)表的評估工具包管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-10-09 18:38:40
MAX400008-MAX400009:220ns, 12微A, 6-Bum WLP 與關(guān)閉數(shù)據(jù)表的比較的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX400008-MAX400009:220ns, 12微A, 6-Bum
2023-10-07 17:52:07
先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術(shù)的組合各廠商發(fā)展出了滿足多樣化需求的封裝解決方案，SiP系統(tǒng)級封裝、WLP晶圓級封裝、2.5D/3D封裝為三大發(fā)展重點。
2023-09-28 15:29:371608 
先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
2023-09-06 11:16:42534 
的頂部和底部都暴露出來，用銅填充的過孔就可以通過晶片提供互連。這提供了由晶片隔離和保護(hù)的堅固耐用的互連。它還提供了使用小得多的體積的互連，同時減少了對與現(xiàn)代微電子封裝相關(guān)的大多數(shù)封裝的需求。本工作使用兩種方法生產(chǎn)銅基TSV，
2023-08-30 17:19:11326 
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍(lán) ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導(dǎo)體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測的交叉區(qū)域 先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進(jìn)封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟，具體包括應(yīng)用晶圓研磨薄化、重布線（RDL
2023-08-07 10:59:46852 
來源：半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”并翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過
2023-07-26 10:06:15619 TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
SD NAND 測試板，CSSDBRD010轉(zhuǎn)接板，適用LGA-8
2023-07-05 09:10:05
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001 
隨著三維集成技術(shù)的發(fā)展，如何將不同材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能的芯片器件實現(xiàn)一體化、多功能集成化是未來系統(tǒng)集成發(fā)展的重點?；?b class="flag-6" style="color: red">TSV、再布線（RDL）、微凸點（Micro Bump）、倒裝焊（FC）等關(guān)鍵工藝的硅轉(zhuǎn)接基板集成技術(shù)是將處理器、存儲器等多種芯片集成到同一個基板上，可提供高密度引腳的再分布。
2023-07-01 10:35:211392 
晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
小型0.73mm x 0.73mm（約兩個0402電阻大?。?引腳晶圓級封裝(WLP)，以及5引腳SOT23封裝。該器件系列采用1.7V至5.5V（ VCC&nbs
2023-06-28 11:35:45
GE211是機智云自行研發(fā)的定制轉(zhuǎn)接板，主要適用于白色智能家電等設(shè)備應(yīng)用。轉(zhuǎn)接板采用ESP32-C3-WROOM-02通信模塊，具備支持WiFi和BLE的雙模無線通信能力，并且還包含TTL電平轉(zhuǎn)換
2023-06-27 18:02:57
不同封裝的晶振，有什么差別沒有
2023-06-26 06:09:47
硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式，是實現(xiàn)千級IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。
2023-06-16 16:11:33342 
芯片功能測試常用5種方法有板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統(tǒng)級SLT測試、可靠性測試。
2023-06-09 16:25:42
由于摩爾定律逐漸接近其物理極限，為進(jìn)一步追求速度、功耗、功能與制造成本的平衡，后道封裝更加強調(diào)封裝集成度、I/O引腳密度及功能集成度，因此SiP、2.52D/3D集成及WLP成為未來集成電路后道封裝
2023-05-31 11:02:401312 
無論是采用Fan-in還是Fan-out，WLP晶圓級封裝和PCB的連接都是采用倒裝芯片形式，芯片有源面朝下對著印刷電路板，可以實現(xiàn)最短的電路徑，這也保證了更高的速度和更少的寄生效應(yīng)。
2023-05-24 10:15:581529 
隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方法，設(shè)計和制造最新的SoC產(chǎn)品已經(jīng)成為
2023-05-23 12:29:112873 
隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，封裝技術(shù)也在逐漸演變。晶圓級封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）和傳統(tǒng)封裝技術(shù)之間的差異，以及這兩種技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢和應(yīng)用領(lǐng)域，值得我們深入了解。
2023-05-12 13:26:05681 
請教一下，有部分工程師使用的0402以上阻容件封裝焊盤呈子彈頭設(shè)計（焊盤內(nèi)測導(dǎo)圓），這樣設(shè)計走什么優(yōu)缺點呢？
2023-05-11 11:56:44
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-05-09 14:12:38
硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一。基于 TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:242021 
半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進(jìn)行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進(jìn)行精準(zhǔn)控制和測量，是生產(chǎn)工藝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
2023-04-28 17:41:49
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
，封裝無需向芯片外擴(kuò)展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。）
2.高傳輸速度（與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現(xiàn)。）
3.高密度連接（WLP可運用數(shù)組式連接，芯片
2023-04-06 17:50:56
0 wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產(chǎn)品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產(chǎn)線加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
是2.5D封裝，將光芯片和電芯片都和一個中介板相連（通過TSV和bump），中介板可以實現(xiàn)芯片間高速互聯(lián)，這個中介板稱為interposer?！?b class="flag-6" style="color: red">TSV是硅通孔，可以實現(xiàn)硅芯片內(nèi)部的互聯(lián)；bump是金屬
2023-03-29 10:48:47
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-28 01:07:56
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-23 08:13:43
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-23 05:00:40
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