的那樣，半導(dǎo)體行業(yè)第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細(xì)看看這個演講的內(nèi)容。
半導(dǎo)體的第一個時代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個集成電路。當(dāng)仙童
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
春回大地，萬物勃發(fā)。山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地生產(chǎn)廠區(qū)一派紅火景象：機(jī)器轟鳴，流水線高速運(yùn)轉(zhuǎn)，全力沖刺一季度“開門紅”。
2024-03-07 15:57:56
196 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，我們經(jīng)常聽到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
勝科納米（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“勝科納米”）作為一家半導(dǎo)體檢測分析廠商，近日在科創(chuàng)板上市的申請獲得了上交所的受理，并已回復(fù)審核問詢函。據(jù)上交所發(fā)行上市審核官網(wǎng)顯示，勝科納米主要的服務(wù)內(nèi)容包括失效分析、材料分析與可靠性分析，其目標(biāo)是成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯片全科醫(yī)院”。
2024-02-02 15:52:55573 1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰(zhàn)，可能導(dǎo)致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要參與者之一，臺積電已經(jīng)宣布開始研發(fā)1納米工藝。
2024-01-22 14:18:31232 常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。
2024-01-17 10:28:47250 
半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀(jì)40年代末至50年代初，當(dāng)時的科學(xué)家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實(shí)驗(yàn)室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37202 研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32336 
在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產(chǎn)品越來越“小而精，微薄”，半導(dǎo)體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細(xì)，因此對于分析微納芯片結(jié)構(gòu)的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
在經(jīng)歷了近十年和五個主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對于FinFET，納米片晶體管通過在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11167 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 對于納米壓印技術(shù)，佳能半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)部巖本和德介紹道，它是通過將刻有半導(dǎo)體電路圖的掩膜壓制于晶圓之上完成二維或三維電路成型的過程。巖本進(jìn)一步補(bǔ)充道，若對掩膜進(jìn)行改良，將有可能實(shí)現(xiàn)2nm級別的電路線條寬度。
2023-12-25 14:51:51316 我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。
2023-12-25 09:28:21213 
透射電子顯微鏡（TEM）具有卓越的空間分辨率和高靈敏度的元素分析能力，可用于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中亞納米尺寸器件特征的計量和材料表征，比如評估界面細(xì)節(jié)、器件結(jié)構(gòu)尺寸以及制造過程中出現(xiàn)的缺陷或瑕疵。
2023-12-18 11:23:58771 
在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
要聊的就是這個特殊的材料——半導(dǎo)體。半導(dǎo)體幾乎撐起了現(xiàn)代電子技術(shù)的全部，二極管，晶體管以及IC都是由半導(dǎo)體材料制成。在可預(yù)見的未來，它們是大多數(shù)電子系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，服務(wù)于消費(fèi)和工業(yè)市場的通信、信號處理、計算和控制應(yīng)用。
2023-12-06 10:12:34599 
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機(jī)、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多?；旧希泄β?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 LSTC 和 Leti 希望建立設(shè)計采用 1.4 納米至 1 納米工藝制造的半導(dǎo)體所需的基本技術(shù)。制造1納米產(chǎn)品需要不同的晶體管結(jié)構(gòu)，而在該領(lǐng)域，Leti在薄膜沉積和類似技術(shù)方面實(shí)力雄厚。
2023-11-20 17:14:37750 鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時代的最初的一個標(biāo)志。
2023-11-20 10:10:51311 
雙方的目標(biāo)是，確立設(shè)計開發(fā)線寬為1.4m1納米的半導(dǎo)體所必需的基礎(chǔ)技術(shù)。這個節(jié)點(diǎn)需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，leti在該領(lǐng)域的膜形成等關(guān)鍵技術(shù)上占據(jù)優(yōu)勢。
2023-11-17 14:13:43412 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高，對于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 對于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無法及時散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
當(dāng)與電子器件相結(jié)合時，紅外光可以在分子水平上使傳感、成像及信號傳輸設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和加快速度。為了充分利用紅外光的優(yōu)勢，用于紅外光學(xué)和光電應(yīng)用的材料需要達(dá)到無缺陷結(jié)晶度。 為了制造與紅外光強(qiáng)烈共振
2023-11-08 09:18:51305 
半導(dǎo)體如今在集成電路、通信系統(tǒng)、照明等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，是一種非常重要的材料。在半導(dǎo)體行業(yè)中，半導(dǎo)體測試是特別關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，以保證半導(dǎo)體器件及產(chǎn)品符合規(guī)定和設(shè)計要求，確保其質(zhì)量和性能。
2023-11-07 16:31:17302 
根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
和硫化物都是半導(dǎo)體。 2、晶體 凡是原子按照一定規(guī)律、連續(xù)整齊地排列著的物體稱為晶體。半導(dǎo)體一般都具有這種結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也被稱為晶體。 3、本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體是完全純凈的(不含任何其它元素)、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。本征半
2023-09-26 11:00:331126 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們將沿著主流的半導(dǎo)體產(chǎn)品類型，半導(dǎo)體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
為什么半導(dǎo)體中的空穴沒有電子的移動速度快？? 半導(dǎo)體中的空穴和電子是半導(dǎo)體中重要的載流子。在半導(dǎo)體材料中，空穴是由于半滿能帶中的電子被激發(fā)而留下的缺陷。這個缺陷可以看做一種正電荷，在電場作用下，空穴
2023-09-21 16:09:441772 在這種情況下，芯片代工公司臺積電于2021年10月宣布在熊本設(shè)立工廠。此外，新公司Lapidus于2022年11月宣布計劃在2027年之前量產(chǎn)2納米的邏輯半導(dǎo)體，這些消息引起了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的廣泛關(guān)注。
2023-09-19 17:29:49588 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
半導(dǎo)體封裝是一個關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)，對產(chǎn)品性能和可靠性有著重要影響。X射線檢測技術(shù)由于其優(yōu)異的無損檢測能力，在半導(dǎo)體封裝檢測中發(fā)揮了重要作用。 檢測半導(dǎo)體封裝中的缺陷 在半導(dǎo)體封裝過程中，由于各種原因
2023-08-29 10:10:45384 半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎? 半導(dǎo)體是指一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電學(xué)特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于金屬導(dǎo)體和非金屬絕緣體之間。半導(dǎo)體材料通常是由含有補(bǔ)償雜質(zhì)的純凈晶體構(gòu)成的，補(bǔ)償雜質(zhì)通過摻雜的方式來改變
2023-08-27 16:05:291029 。具體來說，當(dāng)半導(dǎo)體材料的電子數(shù)目增加時，其導(dǎo)電性也會增加。通常情況下，半導(dǎo)體材料是由純的硅、鍺等元素構(gòu)成，這些元素的原子具有四個價電子，因此，這些元素結(jié)合形成的晶體也具有四價的特性。這種結(jié)構(gòu)使得半導(dǎo)體材料的能帶間隔比金
2023-08-27 16:00:295074 半導(dǎo)體導(dǎo)電的基本特性是什么 半導(dǎo)體是一種電阻介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有一定的導(dǎo)電性能。它們通常由純度高達(dá)99.9999%的單一元素或復(fù)合元素（例如硅或鍺）制成，并且可以通過控制其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的缺陷
2023-08-27 15:55:231402 特性、場效應(yīng)管和晶體管的導(dǎo)電特性、半導(dǎo)體材料的應(yīng)用等。 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性與其能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)。根據(jù)泡里原理，電子首先填充能量最低的能帶。在半導(dǎo)體中，電子的行為可以通過幾個能帶來描述：價帶、導(dǎo)帶和禁帶
2023-08-27 15:55:201120 p型半導(dǎo)體主要靠什么導(dǎo)電 半導(dǎo)體是當(dāng)今電子技術(shù)中最重要的材料之一，其應(yīng)用涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，從微處理器到太陽能電池板等等。半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于不同類型的電子元件中，包括二極管、場效應(yīng)晶體管、三極管
2023-08-27 15:49:062628 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種? 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有特殊的導(dǎo)電特性。在半導(dǎo)體中，電子在晶體中的運(yùn)動方式和原子結(jié)構(gòu)的特性都對其導(dǎo)電特性產(chǎn)生影響。在本文中，我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電
2023-08-27 15:48:592989 位錯是晶體原子排列的一種特殊組態(tài)。位錯的概念最早是在研究晶體滑移過程時提出來的。當(dāng)金屬晶體受力發(fā)生塑性變形時，一般是通過滑移過程進(jìn)行的，即晶體中相鄰兩部分在切應(yīng)力作用下沿著一定的晶面和晶向相對滑動，滑移的結(jié)果是在晶體表面上出現(xiàn)明顯的滑移痕跡——滑移線。
2023-08-25 11:05:035100 
目前BGA封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，相較于傳統(tǒng)的TSOP封裝，具有更小體積、更好的散熱性能和電性能。
在BGA封裝的植球工藝階段，需要使用到特殊設(shè)計的模具，該模具的開窗口是基于所需的實(shí)際焊球
2023-08-21 13:38:06
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。
2023-08-17 10:15:21528 
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡單的開關(guān)功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
原位拉曼系統(tǒng)實(shí)時監(jiān)測半導(dǎo)體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實(shí)時監(jiān)測半導(dǎo)體薄膜生長全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導(dǎo)體薄膜生長過程，并且通過監(jiān)控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
液相外延是碲鎘汞（MCT）薄膜生長領(lǐng)域最成熟的一種方法，被眾多紅外探測器研究機(jī)構(gòu)和生產(chǎn)商所采用。
2023-08-07 11:10:20733 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041 
半導(dǎo)體激光器工作原理是激勵方式。利用半導(dǎo)體物質(zhì)，即利用電子在能帶間躍遷發(fā)光，用半導(dǎo)體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡，組成諧振腔，使光振蕩、反饋、產(chǎn)生光的輻射放大，輸出激光。下面介紹半導(dǎo)體激光器的特點(diǎn)。
2023-07-24 09:40:47897 據(jù)資料顯示，微導(dǎo)納米是一家面向全世界的半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體尖端微型納米設(shè)備制造企業(yè)。以原子層沉積技術(shù)為核心，形成了梯級開發(fā)cvd等多種真空薄膜技術(shù)的產(chǎn)品體系。致力于微米級，納米級薄膜設(shè)備的開發(fā)，生產(chǎn)和銷售，為下游客戶提供尖端薄膜設(shè)備，相關(guān)產(chǎn)品和服務(wù)。
2023-07-19 09:30:51340 晶體缺陷就是實(shí)際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。
2023-07-17 10:22:56647 
晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現(xiàn)為晶體結(jié)構(gòu)中局部范圍內(nèi)，質(zhì)點(diǎn)的排布偏離周期性重復(fù)的空間格子規(guī)律而出現(xiàn)錯亂的現(xiàn)象。根據(jù)錯亂排列的展布范圍,分為下列3種主要類型。
2023-07-14 11:42:251608 
據(jù)報道，微美全息（NASDAQ:WIMI）作為領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新公司，近日成功開發(fā)了一種基于數(shù)字全息技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測技術(shù)，為半導(dǎo)體制造行業(yè)帶來了重要的突破。
2023-07-12 10:58:28425 
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:083873 隨著臺積電的先進(jìn)工藝技術(shù)從 10 納米發(fā)展至 2 納米，臺積電的能源效率在約十年間以 15% 的年復(fù)合增長率提升，以支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的驚人成長。
2023-06-28 15:00:001783 
少的情況下實(shí)現(xiàn)高精度的檢測呢？目前有兩種方法，一種是小樣本學(xué)習(xí)，另一種是用GAN。本文將介紹一種GAN用于無缺陷樣本產(chǎn)品表面缺陷檢測。
2023-06-26 09:49:01549 
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近期，德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院（KIT）開發(fā)的一種新型3D打印工藝可生產(chǎn)出直接打印到半導(dǎo)體芯片上的納米精細(xì)石英玻璃結(jié)構(gòu)。
2023-06-11 09:34:241078 
單元厚度的半導(dǎo)體鈷鐵氧體納米片。并通過振動樣品磁強(qiáng)計、磁力顯微鏡和磁光克爾效應(yīng)測量，展示了硬磁行為和磁疇演化，顯示出高于390K的居里溫度和強(qiáng)烈的維度效應(yīng)。超薄晶體中磁性的發(fā)現(xiàn)為探索新的物理現(xiàn)象和開發(fā)下一代自旋電
2023-06-02 07:01:22311 
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
中芯國際是中國大陸最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)之一，主要業(yè)務(wù)是為其他半導(dǎo)體公司生產(chǎn)晶片。暫時中斷28納米芯片的生產(chǎn)擴(kuò)大，將致力于提高12納米節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)能力。smic的決定是出于經(jīng)濟(jì)上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導(dǎo)體晶體
2023-05-26 10:49:50386 
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)
2023-05-25 09:17:22596 
半導(dǎo)體材料在開發(fā)納米光子技術(shù)方面發(fā)揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
薄膜的質(zhì)量以及器件的性能，所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑，無缺陷，無損傷，表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154 
第九步退火，離子注入后也會產(chǎn)生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下進(jìn)行加熱，使得注入的粒子擴(kuò)散，恢復(fù)晶體結(jié)構(gòu)，修復(fù)缺陷，激活所需要的電學(xué)特性。
2023-04-28 09:32:542020 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:32718 DDC模塊首先將根據(jù)DEC模塊的輸出結(jié)果判斷哪些缺陷已經(jīng)計算完畢，并將這些所有的缺陷全部考慮進(jìn)DDC的計算。隨后自動搜尋各缺陷輸出的形成能、轉(zhuǎn)變能級、簡并因子等信息。將所有的數(shù)據(jù)匯總，寫入 DefectParams.txt 文件中。
2023-04-24 15:09:59929 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
據(jù)悉，由于現(xiàn)有的晶體管的極限已經(jīng)接近或已經(jīng)到達(dá)了納米級別，因此研究團(tuán)隊(duì)開始尋找新的解決方案。他們選擇了基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中的層內(nèi)和層間激子。這些激子是由激子和光子相互作用形成的新物質(zhì)，可以在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)移動。
2023-04-19 09:27:531185 半導(dǎo)體分立器件是由單個半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應(yīng)晶體管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
應(yīng)用主要有降低信號電平、源于負(fù)載之間的匹配、 元器件隔離保護(hù)等應(yīng)品特點(diǎn)：?采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)生產(chǎn)，圖形精度高? 寄生參數(shù)小、頻率特性穩(wěn)定?尺寸小，重量輕?表面貼裝易于集成產(chǎn)品設(shè)計規(guī)范：?電阻類型：TaN
2023-03-28 14:19:17
半導(dǎo)體分立器件是由單個半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應(yīng)晶體管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101455
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