--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號(hào) SMC2933L1512R
- 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 DFN
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT托盤放大器SMC2933L1512R提供高功率大,效率高,易于匹配,覆蓋更一致2.9至3.3GHz,適用于50V操作的S波段脈沖應(yīng)用,以及高達(dá)300usec脈沖寬度的脈沖條件和高達(dá)10%的占空比。
型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SMC2933L1512R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 DFN
型號(hào)參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:引腳=6.3W(38dBm)時(shí)180W(典型值)
高效率:50%(典型值)@引腳=6.3W(38dBm)
功率增益:14.5dB(典型值)
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
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