--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGK1314-60B
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IBK
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的SGK1314-60B是一種高功率GaN HEMT與Ku波段寬VBW應用相匹配,并具有良好的IMD偏移頻率高達250MHz時的性能。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK1314-60B
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 IBK
型號參數(shù)
寬帶:13.75至14.5GHz
高輸出功率:Pout=48dBm(典型值)
出色的IM3,寬偏移頻率:Δf=~250MHz
適用于多載波信號
內(nèi)部匹配
密封包裝
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