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拓荊科技:超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺(tái)已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證

來(lái)源:集成電路材料研究 近日,拓荊科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,公司自主研發(fā)并推出的超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品首臺(tái)已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,并獲得...

2024-09-25 標(biāo)簽:CVD 225 0

2023年度國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng) | 熱烈祝賀晟鵬創(chuàng)始人成會(huì)明院士

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6月24日,全國(guó)科技大會(huì)、國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)、兩院院士大會(huì)在人民大會(huì)堂隆重舉行。廣東晟鵬材料技術(shù)有限公司(廣東晟鵬科技有限公司)創(chuàng)始人成會(huì)明院士團(tuán)隊(duì)的...

2024-06-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料CVD 539 0

Element Six與Orbray同盟致力于頂尖晶圓級(jí)單晶(SC)制造

全球高性能先進(jìn)材料的翹楚企業(yè)——Element Six(E6)與Orbray今日共同宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,致力于聯(lián)手打造全球最高品質(zhì)的晶圓級(jí)單晶(S...

2024-06-11 標(biāo)簽:晶圓金剛石CVD 619 0

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  位于加拿大魁北克的舍布魯克大學(xué)(Université de Sherbrooke)的Denis Morris教授和Michel PioroLadri...

2023-12-25 標(biāo)簽:相機(jī)CVD測(cè)溫計(jì) 343 0

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如果是用淀積溫度較低的PECVD,其生成介質(zhì)層的溫度普遍在300-450攝氏度之間,對(duì)于一些溫度敏感的器件,這么高的溫度無(wú)疑是致命的。但是SOD則只需要...

2023-10-22 標(biāo)簽:薄膜CVD電介質(zhì) 3461 0

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金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體,屬于典型的面心立方(FCC)晶體,空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周...

2023-08-08 標(biāo)簽:激光器SiCAFM 5301 0

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公司方面認(rèn)為,特別是鎢的使用得益于垂直積累3d nand及所有市場(chǎng)的晶片投射量的增加。六氟化鎢WF6的供需平衡將持續(xù)到2023年,但wf6的供應(yīng)將被限制...

2023-07-31 標(biāo)簽:3d晶片CVD 647 0

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金剛石、氧化鎵、氮化鋁等具有更寬的禁帶寬度,被稱(chēng)為超寬禁帶半導(dǎo)體,未來(lái)有可能用來(lái)制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫能力的功率器件,因此研發(fā)熱度一直不減。

2023-07-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓CVD 1693 0

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可穿戴電化學(xué)傳感器件是一種將軟硬件設(shè)備、電化學(xué)傳感器和無(wú)線通信等技術(shù),與日常穿戴的衣物(衣服、腕帶、貼片或紋身等)相結(jié)合的智能電子設(shè)

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2023-06-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體CVD質(zhì)譜分析儀 386 0

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半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類(lèi)型...

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金剛石能力很強(qiáng)但為何鮮見(jiàn)應(yīng)用?

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??瓢雽?dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體: 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 ??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿(mǎn)成功 中國(guó)蘇州,2022年11...

2022-11-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅外延片 2429 0

接觸孔工藝(Contact Process)

接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝,也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一,是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。

2022-11-22 標(biāo)簽:集成電路SiO2CVD 6733 0

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