MCM封裝的分類_MCM封裝的優(yōu)勢

　　根據(jù)IPAS的定義，MCM技術(shù)是將多個LSI/VLSI/ASIC裸芯片和其它元器件組裝在同一塊多層互連基板上，然后進(jìn)行封裝，從而形成高密度和高可靠性的微電子組件。

　　MCM封裝的分類

　　MCM-L是采用片狀多層基板的MCM。MCM-L技術(shù)本來是高端有高密度封裝要求的PCB技術(shù)，適用于采用鍵合和FC工藝的MCM。MCM-L不適用有長期可靠性要求和使用環(huán)境溫差大的場合。

　　MCM-C是采用多層陶瓷基板的MCM。陶瓷基板的結(jié)構(gòu)如2圖所示。從模擬電路、數(shù)字電路、混合電路到微波器件，MCM-C適用于所有的應(yīng)用。多層陶瓷基板中低溫共燒陶瓷基板使用最多，其布線的線寬和布線節(jié)距從254微米直到75微米。

　　MCM-D是采用薄膜技術(shù)的MCM。MCM-D的基板由淀積的多層介質(zhì)、金屬層和基材組成。MCM-D的基材可以是硅、鋁、氧化鋁陶瓷或氮化鋁。典型的線寬25微米，線中心距50微米。層間通道在10到50微米之間。低介電常數(shù)材料二氧化硅、聚酰亞胺或BCB常用作介質(zhì)來分隔金屬層，介質(zhì)層要求薄，金屬互連要求細(xì)小但仍要求適當(dāng)?shù)幕ミB阻抗。圖3是用硅做基材的MCM-D基板的剖面結(jié)構(gòu)。如果選用硅做基板，在基板上可添加薄膜電阻和電容，甚至可以將存儲器和模塊：的保護(hù)電路（ESD，EMC）等做到基板上去。

　　MCM封裝的優(yōu)勢

　　1、延時短，傳輸速度提高

　　由于采用高密度互連技術(shù)，其互連線較短，信號傳輸延時明顯縮短。與單芯片表面貼裝技術(shù)相較，其傳輸速度提高4－6倍，可以滿足100MHz的速度要求。

　　2、體積小，重量輕

　　采用多層布線基板和裸芯片，因此其組裝密度較高，產(chǎn)品體積小，重量輕。其組裝效率可達(dá)30%，重量可減少80－90%。

　　3、可靠性高

　　統(tǒng)計表明，電子產(chǎn)品的失效大約90%是由于封裝和電路互連所引起的，MCM集有源器件和無源元件于一體，避免了器件級的封裝，減少了組裝層次，從而有效地提高了可靠性。

　　4、高性能和多功能化

　　MCM可以將數(shù)字電路、模擬電路、微波電路、功率電路以及光電器件等合理有效地集成在一起，形成半導(dǎo)體技術(shù)所無法實(shí)現(xiàn)的多功能部件或系統(tǒng)，從而實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高性能和多功能化。

　　5、軍事微電子領(lǐng)域的優(yōu)勢地位

　　減小產(chǎn)品尺寸和重量，同時提高電性能和可靠性，這是MCM技術(shù)的價值之所在，也是MCM技術(shù)得以產(chǎn)生和發(fā)展的驅(qū)動力。在要求高性能、小型化和價格是次要因素的應(yīng)用領(lǐng)域，尤其在軍事、航空航天應(yīng)用領(lǐng)域，MCM技術(shù)具有十分穩(wěn)固的優(yōu)勢地位。