電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>分析:450mm,EUV,TSV都將延遲

分析:450mm,EUV,TSV都將延遲

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

AMSL:截止2019年,EUV設(shè)備加工了450萬片晶圓

ASML在IEDM 2019大會上披露,截至2019年,總共已經(jīng)使用EUV設(shè)備處理了450萬片晶圓。該公司最新的NXE:3400C系統(tǒng)每小時可生產(chǎn)170個晶圓。 從2011年到2018年末,通過
2019-12-17 13:58:485331

半導(dǎo)體廠商關(guān)注,TSV應(yīng)用爆發(fā)一觸即發(fā)

TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍(lán)圖,TSV應(yīng)用市場正加速起飛,包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件,皆已開始采用;2013年以后,3D TSV技術(shù)更將由8寸晶圓逐漸邁向12寸晶圓應(yīng)用。
2013-01-27 10:25:003306

450毫米晶圓2018年量產(chǎn) 極紫外光刻緊隨其后

全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說,他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型,Intel、三星電子、臺積電等預(yù)計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn),與此同時,極紫外(EUV)光刻設(shè)備也進(jìn)展順利,將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。
2013-04-21 09:42:141285

18寸難產(chǎn) 2020年前全球晶圓產(chǎn)能12寸繼續(xù)稱霸

龐大的財務(wù)與技術(shù)障礙繼續(xù)困擾18吋(450mm)晶圓發(fā)展,IC制造商紛紛將原本充滿雄心壯志的18吋晶圓相關(guān)計劃延后,轉(zhuǎn)向?qū)?2吋與8吋晶圓生產(chǎn)效益最大化──市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights 的最新報告顯示,全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12吋晶圓稱霸的態(tài)勢。
2016-10-13 16:21:081531

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m,深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性,結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容;小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432749

一文看懂TSV技術(shù)

來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通孔”并翻譯為via硅的事實,它們垂直地穿過
2023-07-26 10:06:15619

一文詳解硅通孔技術(shù)(TSV)

硅通孔技術(shù)(TSV,Through Silicon Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù),是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲,降低電容、電感,實現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊,增加帶寬和實現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:131902

L-3型臥式車床電路運行原理詳解

L-3型臥式車床,其最大加工直徑為450mm,最長加工長度為1500mm。是生產(chǎn)型企業(yè)常用普通車床之一。
2024-01-22 14:09:48436

晶圓級封裝(WLP)及采用TSV的硅轉(zhuǎn)接板商機(jī)無限

具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等,潛藏著新的商機(jī)。
2011-08-28 12:17:464024

新美光發(fā)布450mm半導(dǎo)體級單晶硅棒,國產(chǎn)替代穩(wěn)步前進(jìn)

新美光 CEO 夏秋良介紹,450mm 半導(dǎo)體單晶硅棒采用國際最先進(jìn) MCZ 技術(shù),代表國際先進(jìn)水平,改變國內(nèi)無自主 450mm 半導(dǎo)體級單晶硅棒的局面。將在 28nm 以下晶圓廠實現(xiàn)國產(chǎn)替代。在半導(dǎo)體晶圓廠自主化方面,發(fā)揮重要作用。
2020-07-02 09:45:526796

三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)導(dǎo)入EUV,美光不跟進(jìn)

日前,據(jù)韓國媒體報道,三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù),以建立更高的技術(shù)壁壘。對此,美光(Micron)企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示,美光不打算跟進(jìn),目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452136

15134-0605

PICOBLADE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30

15135-0605

CLICKMATE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30

856717延遲線濾波器

2140 MHz和100 MHz的有用帶寬。該濾波器用于射頻信號的時間對準(zhǔn),并提供450納秒的絕對延遲。該設(shè)備的插入損耗為29分貝,它被封裝在一個密封的表面貼裝封裝。產(chǎn)品型號: 856717產(chǎn)品名稱
2018-07-16 10:18:00

EUV熱潮不斷 中國如何推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展?

ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)(EUV)的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44

TSV911AIDCKR

TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59

延遲中斷機(jī)制分析

FreeRTOS筆記(十一)延遲中斷
2019-07-23 08:39:30

DM642硬中斷延遲問題分析

[table][tr][td] 問題描述: 系統(tǒng)調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)硬件中斷經(jīng)常得不到及時響應(yīng),根據(jù)現(xiàn)象推斷中斷會被延遲達(dá)150us以上。 問題分析:中斷信號是連到CPLD的,DSP的GPIO6也
2018-08-15 04:17:39

E+H液位計FTL51-MBG2BB6E5A L=450MM

Interface NAMURaE+H液位計FTL51-MBG2BB6E5AL=450MM E+H液位計FTL51-MBG2BB6E5AL=300MME+H 分析儀CPF81-NN11A2恩德斯豪斯CPS11D-7BA21
2021-09-08 13:39:20

MAX1614EUV

MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44

MICROFJ-30035-TSV-TR

MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03

MICROFJ-60035-TSV-TR

MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03

MICROFJ-60035-TSV-TR1

MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33

SJ5701粗糙度輪廓一體式測量儀可以評定的表面粗糙度、外輪廓參數(shù)

:0.5mm/s 和0.1mm/s可調(diào)●硬件結(jié)構(gòu):測針:標(biāo)準(zhǔn)型(高度小于8mm)1支,觸針半徑2μm,靜態(tài)測力0.75mN;大理石平臺:尺寸≥800×450mm;電動立柱:高度≥450mm;●測量軟件依照
2017-02-23 18:12:50

ZJ-BAS058

IONIZER BAR 450MM LENGTH
2023-03-23 05:03:39

全自動印刷機(jī)

印刷機(jī)上,然后由人工或印刷機(jī)把錫膏涂敷于印版上有文字和圖像的地方,再直接或間接地轉(zhuǎn)印到電路板上,從而復(fù)制出與印版相同的PCB板。參數(shù) ?最大板尺寸 (X x Y):450mm x 320mm ?最小板尺寸
2015-01-13 10:12:12

出售Advantest R3265A愛德萬8G頻譜分析

:353mm(寬)×177mm(高)×450mm(長)重量:22kg(通常情況下)————————————————————————————————————————- 以上儀器皆是我們的存貨。此推廣
2017-06-20 16:40:15

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能支撐未來的發(fā)展

的火花,即450mmEUV 光刻 機(jī)。在LinkedIn半導(dǎo)體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個問題讓我產(chǎn)生了思考。當(dāng)經(jīng)濟(jì)處于復(fù)蘇的好時機(jī)時會改潿雜詿50mm硅片的看法嗎?WWK的總裁David Jimenez回答了它的問題。設(shè)備制造商會愿意更多的投資來發(fā)展450mm設(shè)備?傳感技術(shù)
2010-02-26 14:52:33

收購Ti450、回收福祿克/Fluke Ti450

儀; 信號發(fā)生器; 數(shù)字源表; 數(shù)字萬用表; 單位注冊資金單位注冊資金人民幣200萬元以下。 我們公司主要供應(yīng)二手儀器二手儀器回收|二手儀器維修|二手儀器租賃|二手網(wǎng)絡(luò)分析儀、頻譜分析儀、示波器等產(chǎn)品,我們的產(chǎn)品貨真價實,性能可靠,歡迎電話咨詢!收購Ti450、回收福祿克/Fluke Ti450
2020-03-24 10:38:19

看2012年測試測量行業(yè)發(fā)展的幾個要點

,其生產(chǎn)線測試必然有全新的需求,此外,EUV也提上了日程,需要全新的測試方案進(jìn)行驗證,這部分2012年會有大量廠商投入研發(fā),還有一個熱點是450mm晶圓設(shè)備測試驗證也進(jìn)入研發(fā)關(guān)鍵階段。
2012-02-03 09:43:19

硅通孔(TSV)電鍍

硅通孔(TSV)電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應(yīng)用中的一個有吸引力的熱點。本文介紹了通過優(yōu)化濺射和電鍍條件對完全填充TSV的改進(jìn)。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52

請問一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數(shù)目?

這個要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱,只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑是分為150mm,300mm以及450mm這三種,而12吋約等于305mm,為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58

請問有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號嗎?

你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號嗎? 謝謝, 何魯麗 #運算放大器,香料宏模型
2019-08-06 14:07:54

需要CY7C2663KV18-450BZI高度公差

你好,熱分析要求CY7C2663KV18-450BZI元件高度公差來自PCB。我需要知道最小,典型和最大高度值毫米。圖中給出了下面的繪圖。給出了馬克斯值,但用下圖不能從PCB到IC頂部獲得Min
2018-10-18 15:24:25

TSV912AIDT TSV912AID 電子元器件IC 封裝:SOP8/運算放大器

STMicroelectronics 運算放大器 TSV912AIDT 雙 高速、精密, 8MHz增益帶寬積
2022-05-31 10:04:31

EA450T and EB450T Antennas

Frequency: 450MHzImpedance: 50 OhmsVSWR: <1.5Gain: 5.0 dBi EA450TGain: 3.0 dBi EB450
2009-03-16 09:32:517

偽碼測距延遲鎖定環(huán)路(DLL)性能分析

本文從延遲鎖定環(huán)路(DLL)的線性模型出發(fā),運用信號統(tǒng)計分析的方法,詳細(xì)研究了延遲鎖定環(huán)路的同步性能與相關(guān)區(qū)間、環(huán)路帶寬與信噪比之間的關(guān)系,得出了采用窄相關(guān)可以顯
2009-08-07 10:03:3024

生產(chǎn)450mm(18英寸)硅晶圓的經(jīng)濟(jì)可行性

生產(chǎn)450 mm(18 英寸)硅晶圓的經(jīng)濟(jì)可行性——來自硅晶圓材料供應(yīng)廠商的呼聲鐘 信1. 前言根據(jù)歷史數(shù)據(jù)分析,晶圓尺寸的倍增轉(zhuǎn)換周期大約為11 年。第一條 200 mm 生產(chǎn)線投
2009-12-15 15:07:0924

荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源

荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹:ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體(LPP)的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料,無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24

荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源

荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹:ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體(LPP)的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料,無需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48

三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年   半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示,按照他們的估計,450mm技術(shù)以及極紫外光刻
2010-01-26 11:34:36411

三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延

三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延    半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報告顯示,按照他們的估計,450mm
2010-01-28 09:21:39491

美紐約州匿名團(tuán)體反對州政府資助450mm項目

美紐約州匿名團(tuán)體反對州政府資助450mm項目  日前,一個匿名群體就美國紐約州對CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發(fā)中心進(jìn)行資助表示反對。這個群體告訴紐約州的政
2010-02-10 10:31:20542

芯片數(shù)量與硅片需求量預(yù)測顯示450mm硅片存在市場需求

隨著半導(dǎo)體業(yè)逐漸地走出2008/2009年低谷,450mm硅片的可行性再次提上議事日程。目前450mm最大問題集中在研發(fā)成本及未來投資的回報率。
2010-06-09 15:11:38729

電接枝技術(shù)助力高深寬比TSV

3D-IC設(shè)計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),從而設(shè)計出更小尺寸的通孔,以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間,最終改進(jìn)信號的完整性。事實上,當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對其的預(yù)測。
2011-01-14 16:10:401719

推動450mm硅片迅速過渡的成因分析

近日英特爾公布22nm的3D(三維)技術(shù)開發(fā)成功,表明一直前景不明的16nm技術(shù)可能會提前導(dǎo)入市場。
2011-08-18 10:03:451239

18寸晶圓產(chǎn)業(yè)未到位 效益要等等

一片18寸(450mm)晶圓產(chǎn)出的芯片數(shù)是12寸(300mm)的兩倍以上,雖然晶圓尺寸愈大,愈能降低芯片制造成本,但推升晶圓尺寸所需的技術(shù)和復(fù)雜度高,需要設(shè)備、元件等產(chǎn)業(yè)鏈的搭配,建廠成本
2011-12-14 09:07:10697

分析TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)

TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出,然而,在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下,TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢,DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析,直至2007年東芝(Toshiba)將
2012-02-21 08:45:371435

編輯視點:TSV的面臨的幾個問題,只是一場噩夢?

  你最近有看到關(guān)于過孔硅(TSV)的新聞嗎?
2012-04-16 08:54:465346

18寸晶圓14奈米研發(fā)人員 進(jìn)駐臺大竹北分部校區(qū)

臺大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè),預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸(450mm)晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。
2012-05-09 08:40:09722

Crossing Automation成立450mm專門業(yè)務(wù)部

Crossing Automation, Inc.近日宣布成立新業(yè)務(wù)部,拓展并研發(fā)450mm 晶片自動化平臺的發(fā)展與產(chǎn)能。
2012-05-11 09:21:13589

先進(jìn)制程沖第一 臺積電16/10nm搶先開火

臺積電先進(jìn)制程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外,臺積電2013~2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù),打造16、10奈米制程;同時亦可望推出18寸(450mm)晶圓
2012-09-07 09:05:21766

全球首座 18寸晶圓廠12月就緒

 2012年國際半導(dǎo)體展昨閉幕,450mm(18寸)供應(yīng)鏈論壇邀請到臺積電(2330)、全球450mm聯(lián)盟、應(yīng)用材料、KLA-Tencor、Lam Research等深度探討450mm未來發(fā)展藍(lán)圖,并率先預(yù)告世界第1座450mm晶圓廠
2012-09-08 09:39:552184

英特爾與臺積電出投巨資建設(shè)450mm晶圓和EUV曝光

 圍繞450mm晶圓和EUV(Extreme Ultraviolet,超紫外線)曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動向日趨活躍。2012年7月,全球最大的曝光設(shè)備廠商——荷蘭阿斯麥(ASML)宣布,將從半導(dǎo)體廠商獲得
2012-09-10 09:31:171087

18寸晶圓2018年量產(chǎn) 是否過度樂觀的目標(biāo)

在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會中,臺積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時程。
2012-09-24 09:13:001007

450mm晶圓時代到來 全球五大半導(dǎo)體共建聯(lián)盟

全球五大半導(dǎo)體業(yè)者在2011年共同成立全球450mm聯(lián)盟,并于美國紐約州Albany設(shè)立450mm晶圓技術(shù)研發(fā)中心。
2012-12-12 09:18:471322

EDWARDS成為450mm晶圓制造設(shè)備聯(lián)盟的創(chuàng)始成員

精密真空產(chǎn)品和尾氣處理系統(tǒng)領(lǐng)先制造商及相關(guān)增值服務(wù)全球供應(yīng)商Edwards 集團(tuán)有限公司(納斯達(dá)克代碼:EVAC)最近加入了一個由全球十家半導(dǎo)體設(shè)備公司組成、旨在組建450mm晶圓制造設(shè)備聯(lián)盟(F450C)的工作組。
2013-07-09 11:54:56985

市場觀察:英特爾推遲14nm 挪后450mm

最新行業(yè)觀察:英特爾14nm將推遲一個季度甚至兩個季度!450mm晶圓工藝預(yù)期也挪后了。IC Insights數(shù)據(jù)顯示,中國市場已經(jīng)成為PC、汽車、手機(jī)和數(shù)字電視的No. 1!關(guān)注電子發(fā)燒友網(wǎng),關(guān)注最新市場動態(tài)!
2013-08-27 12:33:332914

詳解TSV(硅通孔技術(shù))封裝技術(shù)

硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)
2016-10-12 18:30:2714721

TSV互連結(jié)構(gòu)傳輸性能分析及故障建模研究

TSV互連結(jié)構(gòu)傳輸性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:393

18寸晶圓之路漸行漸遠(yuǎn) 三大半導(dǎo)體廠態(tài)度迥異

在短短幾年前還在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界被熱烈討論的18寸(450mm)晶圓,似乎失去了背后的推動力,至少在目前看來如此。
2017-01-17 15:32:581140

軌到軌輸入/輸出20 MHz的運算放大器TSV991/TSV992/TSV994

The TSV99x and TSV99xA family of single, dual, and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812

通用輸入/輸出軌到軌低功耗操作放大器TSV321/TSV358/TSV324/TSV321A/TSV358A/TSV324A

The TSV358, TSV358A, TSV324, and TSV324A (dual and quad) devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306

微(60μ一)寬的帶寬(2.4 MHz)的CMOS運算放大器TSV6390/TSV6390A/TSV6391/TSV6391A

The TSV6390, TSV6391, and their “A” versions are single operational amplifiers (op amps) offering
2017-09-05 09:34:144

高功因數(shù)(1.15兆赫為45微米)cmos運算放大器TSV521/TSV522/TSV524/TSV521A/TSV522A/TSV524A

The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585

軌到軌輸入/輸出60μ880千赫5V CMOS運算放大器TSV630/TSV630A/TSV631/TSV631A

The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation, and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:3216

軌到軌輸入/輸出,29μ,420 kHz的CMOS運算放大器TSV62x,TSV62xA

The TSV622, TSV622A, TSV623, TSV623A, TSV624, TSV624A, TSV625, and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254

軌到軌輸入/輸出29μ420 kHz的CMOS運算放大器TSV620,TSV620A,TSV621,TSV621A

The TSV620, TSV620A, TSV621, and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation
2017-09-05 11:01:536

tsv85x,tsv85xa低功耗高精度通用運算放大器數(shù)據(jù)表

The TSV85x, TSV85xA series of single, dual, and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:0911

晶體生長和晶圓制備的步驟教程詳解

沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級硅的制備,再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓,以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。
2018-07-19 10:09:3113334

什么是TSV封裝?TSV封裝有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?

的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,減小信號延遲,降低電容/電感,實現(xiàn)芯片間的低功耗,高速通訊,增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。基于TSV技術(shù)的3D封裝主要有以下幾個方面優(yōu)勢:
2018-08-14 15:39:1089027

TSV914 TSV91x 單路、雙路和四路軌至軌輸入/輸出 8MHz 運算放大器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TSV914相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有TSV914的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,TSV914真值表,TSV914管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05

SU450B寫頻器驅(qū)動和華為SU450寫頻軟件及華為SU450寫頻方法資料概述

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SU450B寫頻器驅(qū)動和華為SU450寫頻軟件及華為SU450寫頻方法資料概述。
2018-10-22 08:00:0061

分析模擬延遲和數(shù)字延遲

磁帶延遲效果與單塊的作用原理不同,磁帶延遲使用的是通過錄音的方式然后通過磁帶的循環(huán)播放來實現(xiàn)。磁帶延遲相當(dāng)受歡迎,因為它能夠提供多種延遲時間和速度調(diào)節(jié),并且聲音相當(dāng)自然。
2019-06-17 14:15:165622

關(guān)于EUV光刻機(jī)的分析介紹

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示,如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機(jī),那么光刻的步驟將會超過100步,這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具,未來圍繞EUV光刻機(jī)的爭奪戰(zhàn)將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進(jìn)工藝市場競爭的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845

物聯(lián)網(wǎng)和汽車電子的發(fā)展將會使集成電路產(chǎn)業(yè)從中受益

從產(chǎn)品層面而言,如今市場的推動力已經(jīng)由PC轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、平板電腦,但是2013年中國智能手機(jī)增幅首次下降以及諸多移動產(chǎn)品增長高潮已過,而價格競爭日趨激烈,逐漸向PC市場低毛利率靠攏,加上關(guān)鍵性技術(shù)如EUV光刻和450mm硅片量產(chǎn)等尚未完全攻克,讓下一輪的集成電路增長添加了不確定性。
2019-09-23 11:07:221295

EUV光刻機(jī)全球出貨量達(dá)57臺

與此同時, 他指出,EUV繼續(xù)為ASML的客戶提高產(chǎn)量,迄今為止,他們的客戶已經(jīng)使用EUV光刻機(jī)曝光了超過1100萬個EUV晶圓,并交付了57個3400x EUV系統(tǒng)(3400平臺是EUV生產(chǎn)平臺)。
2020-08-14 11:20:552048

分析解決MySQL數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)延遲跳動

今天分析了另外一個關(guān)于數(shù)據(jù)庫延遲跳動的問題,也算是比較典型,這個過程中也有一些分析問題的方法和技巧工參考。
2020-08-20 14:18:041679

框圖:TSL2584TSV_BD000158_1-00.png

TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:411

RoHS認(rèn)證:TSL2584TSV_RC000103_1-00.pdf

RoHS Certificate TSL2584TSV
2021-01-25 07:17:067

磁翻板液位計的注意事項

以單機(jī)25×104kW的發(fā)電機(jī)為例,以其推力油槽尺寸選擇量程為450mm(即磁翻板液位計法蘭口1與法蘭口2之間的中心距為450mm)的磁翻板液位計2套。每個磁翻板液位計均應(yīng)配備1個液位變送器
2021-05-06 09:21:251317

基于仿真分析軟件TSV-Solutions的有限元分析

就必須對風(fēng)泂試驗段進(jìn)行整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、剛度分析以校核其運營的安全性。以有限元模擬仿真分析軟件TSV-Sσ utions對δm×6m試驗段進(jìn)行結(jié)構(gòu)強(qiáng)度分析和模態(tài)分析,根據(jù)結(jié)果提出優(yōu)化改進(jìn)風(fēng)洞試驗段的結(jié)構(gòu),并對優(yōu)仳后的結(jié)果進(jìn)行分析,優(yōu)化后的
2021-05-07 16:23:587

DC450A DC450A評估板

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC450A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有DC450A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,DC450A真值表,DC450A管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 22:00:04

應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動者,可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢,TSV縮放至關(guān)重要。
2022-04-12 15:32:46942

TSV陣列建模流程詳細(xì)說明

芯片和封裝基板的互連,以及芯片和芯片的互連。TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等填充,實現(xiàn)垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度,降低信號延遲,降低寄生電容/電感,實現(xiàn)芯片間的低功耗、高速、寬帶通信和實現(xiàn)器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:392053

如何利用工具模板快速對TSV陣列進(jìn)行建模

本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜,存在建模繁瑣、分析不便等問題。
2022-06-03 09:03:001363

HVM中用于光刻的EUV源:歷史和前景

HVM中的EUV光刻 ?背景和歷史 ?使用NXE的EUV光刻:3400B ?EUV生成原理 ?EUV來源:架構(gòu) ?現(xiàn)場EUV源 ?電源展望 ?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450

淺談臺積電放棄450mm晶圓的背后原因

蔣尚義認(rèn)為450mm會占用臺積電太多的研發(fā)人員,削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進(jìn)步的能力。然而,研發(fā)預(yù)算更大的英特爾受到的影響較小。因此,選擇較大的硅片的主要原因是“大家伙可以把小家伙擠出去”,蔣尚義表示。
2022-08-08 15:17:481711

DS1110S-450+ 時鐘/計時 - 延遲

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1110S-450+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有DS1110S-450+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,DS1110S-450+真值表,DS1110S-450+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-29 20:52:45

DS1110E-450+ 時鐘/計時 - 延遲

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1110E-450+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有DS1110E-450+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,DS1110E-450+真值表,DS1110E-450+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-30 19:33:49

TSV關(guān)鍵工藝設(shè)備及特點

TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的性能優(yōu)劣。本文筆者在綜述 TSV 的工藝流程
2023-02-17 10:23:531010

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342003

什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36470

華林科納的一種新型的硅通孔 (TSV) 制造方法

硅通孔(TSV)有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔,然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前,銅基TSV是最具成本效益的大規(guī)模生產(chǎn)TSV。一旦過孔
2023-08-30 17:19:11326

EUV薄膜容錯成本高 成芯片良率的關(guān)鍵

近20年來,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563

3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造

3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計與制造
2023-11-30 15:27:28212

泛林集團(tuán)獨家向三星等原廠供應(yīng)HBM用TSV設(shè)備

三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備,深度蝕刻到晶片內(nèi)部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57333

ASML為什么能在EUV領(lǐng)域獲勝?

在討論ASML以及為何復(fù)制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時,分析通常集中在EUV機(jī)器的極端復(fù)雜性上,這歸因于競爭對手復(fù)制它的難度。
2024-01-17 10:46:13116

已全部加載完成