。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當(dāng)前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說
2019-10-04 01:41:00
4991 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Nasdaq：CY）今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元（SLC）NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動
2015-10-15 13:52:53810 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:436006 在設(shè)計使用NAND閃存的系統(tǒng)時，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對于確保閃存滿足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593366 
性能稍弱。故，雖然MLC容量大成本低，目前受市場和成本影響，汽車、消費電子的出貨主力還是SLC NAND FLASH產(chǎn)品。如圖2所示，在SLC閃存中，每個存儲單元僅存儲一位信息：邏輯0或邏輯1.單元
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
什么是Flash Memory？Flash Memory主要可以分為哪幾類？SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思？它們又有什么不同？
2021-06-18 09:11:54
SLC有什么主要類型？有哪些特性？MLC有什么主要類型？有哪些特性？TLC有什么主要類型？有哪些特性？
2021-06-16 08:00:46
11）。另外這里要提及的是3星還有3值存儲的MLC（3-Level MLC NAND Flash Memory ） 讀寫速度上有很大提高。同理可知，所謂SLC就是每一個存儲單元只存儲1bit的信息。即
2015-03-16 21:07:59
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
電位差和電場，也不會有電子的移動。NAND Flash SLC MLC TLC和QLCNAND Flash廣泛應(yīng)用于各種存儲卡，SSD，eMMC中。主要分為SLC (Single Level Cell
2022-07-01 10:28:37
SSD組成主要部件是什么？主控、閃存及固件算法三者有什么關(guān)系？對SLC、MLC及TLC閃存怎么理解呢？
2021-06-18 08:47:41
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
嗨， 我只是想了解一下Flash技術(shù)。因為我剛開始，我的問題不是太“專業(yè)”，對不起（ - ：我知道今天有兩種主要的閃存類型：NOR和NAND。參考STM8L，那里使用的Flash類型是什么？由于在
2019-01-14 15:27:27
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達6家族有廣泛的第三方SPI（高達x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。隨著Nand技術(shù)的發(fā)展，根據(jù)Nand顆粒存儲單元，可以分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi LevelCell)、TLC
2015-07-26 11:33:25
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應(yīng)用是
2018-06-14 14:26:38
是一樣的都是采用MMC接口，都是按eMMC的標準的，只是每個廠家的叫法不一樣; 3、MLC： NAND閃存可分為三大架構(gòu)，分別是單層式儲存(Single Level Cell)，即SLC;多層式儲存
2013-05-27 22:01:53
什么是SLC NAND？它有什么特點嗎？和SPI NOR FLASH相比，SLC NAND有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 07:26:48
什么是QLC？QLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退？QLC閃存會取代TLC、MLC嗎？
2021-06-18 06:27:34
ST提供的文檔UM1653中有針對SLC NAND的高級閃存驅(qū)動，里面有文件系統(tǒng)FATFS還做了讀寫均衡和壞塊管理，不知道哪里可以下載到源碼？
2019-03-26 16:23:28
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
許多人對閃存的SLC和MLC區(qū)分不清。就拿目前熱銷的MP3隨身聽來說，是買SLC還是MLC閃存芯片的呢？在這里先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質(zhì)量、數(shù)據(jù)的安全性、機器壽命等方面要求較高
2021-07-22 08:57:59
如題 小弟是做U盤數(shù)據(jù)恢復(fù)的U盤出售的現(xiàn)求購8GB slc mlc 各50片要求有售后保證5天內(nèi)需交貨可提供報價單至kangkaibg001@yahoo.cn亦可直接電 ***截止2011.6.30非誠勿擾！
2011-04-19 21:49:07
你好 STM 團隊，我們正在開發(fā)基于 STM32MP157C-Eval 板的定制板。在那方面，我們計劃使用 MLC NAND 部件號#MT29F16G08CBACAWP:C 代替 SLC NAND
2022-12-23 07:14:24
已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個塊包含32個512字節(jié)的頁，容量16KB；而大容量閃存采用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。SLC、MLC和TLC
2018-06-21 14:57:19
如何識別slc和mlc芯片及slc mlc區(qū)別
slc mlc區(qū)別：
MLC（Multi-Level-Cell）技術(shù)，由英特爾于1997
2008-07-17 10:01:565901 NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:271430 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲器，這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。
2011-09-15 09:28:331450 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471159 2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM
2017-04-20 17:33:523802 2010年NAND Flash市場的主要成長驅(qū)動力是來自于智能型手機和平板計算機，都必須要使用SLC或MLC芯片，因此這兩種芯片都處于缺貨狀態(tài)，而TLC芯片卻是持續(xù)供過于求，且將整個產(chǎn)業(yè)的平均價格
2017-09-29 11:01:59
9 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 2018年8月7日的美國閃存峰會（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場對存儲容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:497064 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 在經(jīng)歷了SLC、MLC、TLC的"技術(shù)降級"之后，全球消費者無奈的只能接受QLC時代的到來。閃存SLC、MLC、TLC、QLC的降級之路，充分體現(xiàn)出了資本的貪婪。
2018-10-27 09:01:151279 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
閃存芯片又稱Flash存儲器，分為SLC 、MLC和TLC三類。SLC和MLC分別是Single-Level Cell（單層單元）和Multi-Level Cell（多層單元）的縮寫。
2019-02-05 01:33:0010615 
SLC全稱是單層式儲存 （Single Level Cell），因為結(jié)構(gòu)簡單，在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小，所以壽命較長，傳統(tǒng)的SLC NAND閃存可以經(jīng)受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅(qū)動，所以其速度表現(xiàn)更好，目前很多高端固態(tài)硬盤都是都采用該類型的Flash閃存芯片。
2019-01-17 16:24:4220970 在本周的活動上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級的延遲，采用SLC或者MLC顆粒。
2019-03-25 14:44:563061 SM3267是一個USB 3.0單通道閃存驅(qū)動器控制器，為SLC、MLC、TLC和高速切換和ONFI DDR NAND提供高性能和高兼容性。對于USB 3.0閃存磁盤應(yīng)用程序，此控制器支持多達4個NAND閃存設(shè)備的高容量。
2019-05-13 08:00:0029 除了企業(yè)級、工業(yè)級等極少數(shù)特殊產(chǎn)品，SLC閃存已經(jīng)逐漸成為回憶，MLC閃存都快絕跡了，只剩滿大街的TLC、QLC，不過東芝正在把SLC帶回來！
2019-08-06 08:45:343736 非揮發(fā)性快閃存儲器大廠旺宏董事長表示，近期NOR Flash價格持穩(wěn)，看好5G基地臺及終端設(shè)備將會采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場開始擴大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低
2019-11-14 15:52:18765 當(dāng)然，現(xiàn)在大家已經(jīng)無需擔(dān)心手機TLC閃存的問題。從iphone8年代開始，手機已經(jīng)全面使用TLC顆粒。大量手機廠商都證明了，當(dāng)TLC方案成熟之后，使用TLC閃存并不會影響手機的正常使用，反而
2019-12-06 15:57:1821420 閃存芯片中，除了我們耳熟能祥的SLC，MLC,TLC以外，還有一種叫QLC閃存芯片。
2019-12-19 13:46:431063 如今市面上的SSD固態(tài)硬盤閃存以TLC、QLC閃存為主，而長壽命、高可靠的SLC、MLC已經(jīng)退出消費級市場，只能在企業(yè)級、工業(yè)級、嵌入式等一些特殊領(lǐng)域找到，尤其是最早的SLC幾乎絕跡。
2019-12-25 08:52:522824 我們都知道固態(tài)硬盤采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲介質(zhì)，所以它是固態(tài)硬盤中最重要的構(gòu)成部分，其好壞也就決定著固態(tài)硬盤質(zhì)量的好壞，而我們目前常見的NAND閃存主要有四種類型：Single
2020-01-01 09:31:003412 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，存儲密度和容量越來越大，但是性能、可靠性、壽命卻是越來越差，為了保證正常使用就不得不加入各種輔助技能。
2020-02-24 09:54:032196 作為SSD主要元件的NAND閃存，我們經(jīng)常見到的有SLC和MLC兩種，甚至還細分出eSLC和eMLC等等。
2020-03-27 11:00:2419437 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 閃存顆粒主要有SLC、MLC和TLC、QLC四種閃存顆粒，至于更新一代的PLC閃存目前尚無定論。日本PCWatch網(wǎng)站分析NADN閃存的發(fā)展趨勢，指出QLC閃存至少會發(fā)展四代產(chǎn)品。
2020-04-07 09:36:28871 NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關(guān)鍵。
2020-04-12 18:12:152468 NAND閃存從SLC到MLC再到TLC，可以說一步步降低了成本，提升了容量，這是它們得以普及的關(guān)鍵?，F(xiàn)在QLC閃存在這一年中發(fā)展迅猛，大有搶TLC風(fēng)頭的意味，而更渣的PLC閃存也在路上了。
2020-04-13 09:09:53807 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:031730 
Nand Flash設(shè)計中，有個命令叫做Read ID，讀取ID，意思是讀取芯片的ID
2020-07-16 10:37:083164 
無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進行了詳細的演講，介紹了該公司全新 X-NAND 閃存架構(gòu)，該架構(gòu)有望將 SLC 閃存的速度
2020-11-15 09:27:402041 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 10:05:081872 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:26:421481 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 09:47:121425 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來，容量密度越來越高，成本越來越低，性能和壽命卻越來越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來輔助，但依然不容樂觀。
2021-02-22 10:00:493038 
由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。
2021-03-03 17:42:495260 
說起來，存儲單元是硬盤的核心元件，選擇SSD實際上就是在選擇存儲顆粒。那SLC、MLC、TLC和QLC這幾種存儲顆粒究竟存在什么區(qū)別呢？Ci妹這就來告訴大家。
2021-03-19 15:07:5216 微米NAND閃存設(shè)備包括用于高性能I/O操作的異步數(shù)據(jù)接口。這些設(shè)備使用高度多路復(fù)用的8位總線（DQx）來傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。有五個控制信號用于實現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口：CE#、CLE、ALE、WE#
2021-03-29 09:46:5615 在設(shè)計使用NAND FLASH的系統(tǒng)時選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?b class="flag-6" style="color: red">閃存控制器還必須足夠靈活以進行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。選擇正確的閃存控制器對于確保...
2022-01-25 20:00:552 如前所述，汽車和工業(yè)應(yīng)用要求閃存設(shè)備能夠可靠運行 15 年以上并保持存儲數(shù)據(jù)的完整性。通常，SLC NAND 和 MLC NAND 的誤碼率比 NOR 設(shè)備差。
2022-06-30 10:23:03746 
MX35LFxGE4AB是具有串行接口的1Gb/2Gb SLC NAND閃存設(shè)備。然而，該設(shè)備的存儲陣列采用了與并行NAND相同的單元結(jié)構(gòu)實現(xiàn)行業(yè)標準串行接口。
2022-07-07 16:29:296 。 “每個人都習(xí)慣了閃存的密度每兩年左右翻一番，但他們沒有考慮到控制器以類似的速度變得越來越復(fù)雜的事實，”O(jiān)bjective Analysis 的首席分析師 Jim Handy 說。這使他們能夠從 SLC、MLC、TLC 到 QLC，同時變得更快、穿得更好并添加功能?！拔医?jīng)常打趣說，控制
2022-07-20 10:35:27694 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 MLC（全稱：Multi-Level Cell）又稱為雙層式儲存 ，即每單元存儲2bit信息（2bit/cell）。存儲容量比SLC大，成本相對于SLC大大降低。
2023-04-03 14:23:584387 眾所周知，鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維（3D）垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH，讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時，鎧俠還是第一個設(shè)想并準備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03798 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同類型的閃存芯片，如NAND、MLC（多級單元）或TLC（三級單元）。
2023-07-19 15:21:372106 在當(dāng)今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793 
一、什么是pSLCpSLC（Pseudo-SingleLevelCell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)NandFlash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC進入
2023-08-11 11:33:30667 
江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設(shè)計領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認可。繼 自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn) 后，首顆 自研32Gb 2D MLC NAND Flash
2024-02-01 09:18:40127 
江波龍，作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一
2024-02-01 15:04:05277
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