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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘之處 “打造中國(guó)最大DRAM內(nèi)存廠”?

揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘之處 “打造中國(guó)最大DRAM內(nèi)存廠”?

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2016-05-27 09:29:131688

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中國(guó)備戰(zhàn)未來(lái)!一條內(nèi)存引發(fā)的半導(dǎo)體之爭(zhēng),

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2018-03-28 23:42:26

合肥回收存儲(chǔ)器IC 合肥存儲(chǔ)器IC回收

`合肥回收存儲(chǔ)器IC 合肥存儲(chǔ)器IC回收銘盛電子回收公司是一家位處深圳華強(qiáng)北的電子元器件回收終-端公司! 136-3166-5055 聯(lián)系電話(huà)v同號(hào)!銘盛電子公司回收電子元器件,通信ic收購(gòu),收購(gòu)
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存儲(chǔ)器 IC 分類(lèi)的糾結(jié)

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存儲(chǔ)器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

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相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ),大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行,這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器,這些類(lèi)型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35

計(jì)算機(jī)組成原理第五版(白中英)第三章多層次存儲(chǔ)器 習(xí)題 精選資料推薦

存儲(chǔ)器,其地址碼為26位,若使用 4MX8位的 DRAM 芯片組成該機(jī)所允許的最大主存空間,并選用內(nèi)存條結(jié)構(gòu)形式,問(wèn):(1)若每個(gè)內(nèi)存條為16MX64位,共需幾個(gè)內(nèi)存條?【答】(226X64)/(16MX64)=4.(2)每個(gè)內(nèi)存條內(nèi)共有多少 DRAM芯片?【答】(16MX64)/(4MX8)=
2021-07-29 06:08:35

詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作,但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同,主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2022-11-17 16:58:07

請(qǐng)問(wèn)CH32V103R8T6內(nèi)存不夠是否能接外部存儲(chǔ)器?如何使用外部存儲(chǔ)器?

CH32V103R8T6內(nèi)存不夠是否能接外部存儲(chǔ)器?如何使用外部存儲(chǔ)器?
2022-06-08 06:53:10

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算

本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì) 1、引言 當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長(zhǎng),存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10%的
2009-12-31 10:57:03714

全球最薄動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)

日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布,已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM),4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993

中國(guó)搶進(jìn)DRAM存儲(chǔ)器 海力士恐成最大潛在受害者

工研院 IEK認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行,未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807

合肥存儲(chǔ)器廠消息曝光 產(chǎn)能將超SK海力士無(wú)錫廠

合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄,目前得到消息已淡出合肥,而后續(xù)將由中國(guó)本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新,以及中芯前CEO王寧國(guó)所主導(dǎo)的合肥長(zhǎng)鑫接手。
2016-11-17 10:35:491642

flash存儲(chǔ)器的類(lèi)型

FLASH存儲(chǔ)器(也就是閃存)就 是非易失隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器(NVRAM),特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失,因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器,分為DRAM和SRAM兩大類(lèi),其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295

存儲(chǔ)器芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局,兆易、紫光和聯(lián)電爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座

大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局,甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約,將砸人民幣180億元(逾新臺(tái)幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術(shù),業(yè)界預(yù)期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展?本文從純市場(chǎng)的角度,就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860

合肥怎樣打造成為中國(guó)IC之都

合肥一直在全力打造中國(guó)“IC之都”,結(jié)合合肥芯、合肥產(chǎn)、合肥用這三個(gè)環(huán)節(jié)完善產(chǎn)業(yè)鏈,全力發(fā)展存儲(chǔ)芯片、驅(qū)動(dòng)芯片以及特色芯片,并希望到2020年規(guī)模突破500億元,制造業(yè)居全國(guó)前列,設(shè)計(jì)業(yè)居全國(guó)前五。
2018-11-21 14:51:235908

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類(lèi):易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

厲害了我的國(guó)?。∈讉€(gè)自主研發(fā)DRAM芯片有望在合肥誕生

2018年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生;
2018-05-16 16:00:0020968

中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有希望在合肥誕生

近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專(zhuān)項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃:2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:007515

DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)將保持量?jī)r(jià)齊增態(tài)勢(shì)

存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā),DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%,首次超越邏輯電路,成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中,三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074

中國(guó)廠商進(jìn)入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)志在必得 韓國(guó)預(yù)估中國(guó)能力瘋狂搶食存儲(chǔ)

DRAM內(nèi)存芯片還是NAND閃存芯片,中國(guó)在此領(lǐng)域基本上是100%依賴(lài)進(jìn)口,發(fā)展需求也是最迫切的,目前紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢建設(shè)NAND閃存工廠,下半年為量產(chǎn),而在安徽合肥、福建晉江有團(tuán)隊(duì)在搞DRAM內(nèi)存,未來(lái)幾年中國(guó)公司就會(huì)進(jìn)入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。
2018-05-14 11:19:001619

中國(guó)最大存儲(chǔ)器需求國(guó),緊盯內(nèi)存價(jià)格漲勢(shì)

此外,中國(guó)市場(chǎng)對(duì)于全球DRAM和NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)20%與25%,存為儲(chǔ)器最大需求國(guó)。盡管中國(guó)各地正積極進(jìn)行半導(dǎo)體扶植計(jì)劃,但要達(dá)到「技術(shù)自主研發(fā)」與「穩(wěn)定量產(chǎn)規(guī)?!箖?b class="flag-6" style="color: red">項(xiàng)目標(biāo)仍需要至少數(shù)個(gè)季度以上的時(shí)間,對(duì)解決成本壓力的燃眉之急是遠(yuǎn)水救不了近火。
2018-05-26 10:40:384720

中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的未來(lái)市場(chǎng)預(yù)測(cè)

近日消息,研究機(jī)構(gòu)指出,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注于行動(dòng)式內(nèi)存合肥長(zhǎng)鑫,以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來(lái)看,其試產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)
2018-06-07 12:28:001666

合肥DRAM“506項(xiàng)目”正式投產(chǎn)電性片

7月16日,合肥DRAM“506項(xiàng)目”進(jìn)行了控片投片總結(jié)會(huì),并宣布正式投產(chǎn)電性片。 這是我國(guó)三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目第一個(gè)宣布投片的項(xiàng)目。
2018-07-20 14:57:4522627

合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目,正開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段

中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國(guó)目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來(lái)新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位,聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2416455

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871

合肥長(zhǎng)鑫DRAM正式投片 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的一大步

日前,合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說(shuō),近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100

DRAM為代表的存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮,三星、美光成最大贏家

“2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計(jì)。當(dāng)下,以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在全球范圍內(nèi)掀起漲價(jià)潮。
2018-07-26 17:47:13530

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,需克服專(zhuān)利及人力等重重障礙

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán),預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年,主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash,初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片,未來(lái)最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片,中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00450

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器最大特點(diǎn)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫(xiě),而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325

合肥長(zhǎng)鑫嘗試“從0到1”的突破 推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步

7月16號(hào),中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)鑫召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì),在會(huì)上傳出消息,合肥長(zhǎng)鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片,成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)器
2018-11-29 16:51:0517531

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156

內(nèi)存儲(chǔ)器的分類(lèi)

內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和主存儲(chǔ)器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部,高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi),而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。
2019-01-07 16:54:3232579

又一存儲(chǔ)器項(xiàng)目助力合肥打造IC之都

項(xiàng)目將于合肥經(jīng)開(kāi)區(qū)建設(shè)康佳存儲(chǔ)器事業(yè)總部和科研創(chuàng)新中心,引入國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目,這將加快該區(qū)集成電路及電子信息千億產(chǎn)業(yè)發(fā)展,助力合肥打造“IC之都”。
2019-02-11 15:33:493561

單片機(jī)的片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器到底有什么區(qū)別

單片機(jī)的分為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器。單片機(jī)內(nèi)部的存儲(chǔ)器稱(chēng)為片內(nèi)存儲(chǔ)器,片外擴(kuò)展的存儲(chǔ)器成為片外存儲(chǔ)器。比如8031 內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器而沒(méi)有程序存儲(chǔ)器,所以它一般要外接一塊程序存儲(chǔ)芯片,內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器叫做9031的片內(nèi)存儲(chǔ)器,外部擴(kuò)展的存儲(chǔ)芯片叫做片外存儲(chǔ)器。
2019-08-15 17:32:003

內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器的分類(lèi)與區(qū)別

內(nèi)存又稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器,通常也泛稱(chēng)為主存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)中的主要部件,它是相對(duì)于外存而言的。
2019-05-26 10:33:3238724

中國(guó)將自主研發(fā)DRAM存儲(chǔ)器

業(yè)內(nèi)研究人員表示,中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠,旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653

合肥長(zhǎng)鑫提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓

存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭,其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:152083

紫光日本公司表示,DRAM內(nèi)存將在5年內(nèi)量產(chǎn)

合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后,紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部,這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。
2019-11-28 15:37:512314

美光宣布首款LPDDR5 DRAM UFS多芯片封裝正式送樣 可節(jié)省功耗并減少存儲(chǔ)器占用空間

存儲(chǔ)器大廠美光(Micron Technology)于11日宣布,業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。新款UFS多芯片封裝(uMCP5)是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648

兆易創(chuàng)新為嵌入式產(chǎn)品提供豐富的存儲(chǔ)解決方案

雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上,兆易創(chuàng)新主要是通過(guò)其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團(tuán)合作的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)來(lái)進(jìn)行布局。但是,兆易創(chuàng)新的自研DRAM項(xiàng)目也早已開(kāi)始。
2020-11-03 15:43:034233

易失性存儲(chǔ)DRAM是什么,它的主要原理是怎樣的

DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-11 15:11:293686

易失性存儲(chǔ)器(VM)

在過(guò)去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě),RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱(chēng)作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝(DRAM)詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種,即深溝
2023-02-08 10:14:575004

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207

DRAM內(nèi)存分為哪幾種 dram存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理是什么

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64
2020-07-14 09:26:5710613

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