與濕法蝕刻相比,等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向(各向異性)的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻,通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀,TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性,可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251768 引起的,濕法清洗和干法蝕刻清洗工藝被用于去除多晶硅蝕刻殘留物,這可能影響電特性和進(jìn)一步的器件工藝。XPS結(jié)果表明,濕法清洗適用于蝕刻殘留物的去除。
2022-05-06 15:49:501012 或InAsSb材料用于彼此相對(duì)的蝕刻停止層,但是不希望其獨(dú)特的II型破碎帶隙對(duì)準(zhǔn)的器件需要具有良好選擇性的GaSb和AlGaAsSb之間的新的選擇性濕法蝕刻劑。這里描述的所有濕法化學(xué)和干法蝕刻工藝都使用n型GaSb襯底進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-05-11 14:00:421024 接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 在濕法各向異性蝕刻中,底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而,還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓,無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能,對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查,以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335070 在半導(dǎo)體器件制造中,蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù),該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定,其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述,一旦掩模就位,可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻,圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522866 本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅,以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:161092 本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:131364 本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:042263 引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的,普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺(見下表)。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐,可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913992 我司是做濕法蝕刻藥水的,所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問,很愿意為大家解答。謝謝!QQ:278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
`請(qǐng)問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些?`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
目前,印刷電路板(pcb)加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上,也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
清潔 - 表面問題:金屬污染的起源:來源:設(shè)備、工藝、材料和人力,Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污:可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
:MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝,可提供對(duì)取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性,此外,它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑(例如過氧化氫 (H2O2))和酸(例如
2021-07-06 09:33:58
氧化物)中的高質(zhì)量電介質(zhì)。此外,在加工過程中,熱生長的氧化物可用作注入、擴(kuò)散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質(zhì)量原生氧化物的存在以及由此產(chǎn)生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào):JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào):JFSJ-21-044作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html摘要:濕法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情,請(qǐng)加V獲取:hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度,它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ),實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡陋,如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝,效果會(huì)有明顯的提高,南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿足要求,使清洗達(dá)到事半功倍的效果。 如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
,干法蝕刻制備的氮化鎵(GaN)側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷,這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝,以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
μm 的 3''、4'' 和 6''硅晶片進(jìn)行了 KOH 和 TMAH 溶液的蝕刻實(shí)驗(yàn)分別是納米制造中心。3''晶片被雙面拋光并在熱氧化層上分別在60/40nm的兩側(cè)具有氮化層以獲得掩模窗口。4 英寸
2021-07-19 11:03:23
。一.蝕刻的種類要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-04-05 19:27:39
操作,并具備對(duì)PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力; 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕;離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計(jì)算機(jī)操作,具備相關(guān)專業(yè)英語閱讀能力; 6、工作認(rèn)真細(xì)致、有
2012-12-19 22:42:16
。蝕刻工藝對(duì)設(shè)備狀態(tài)的依賴性極大,故必需時(shí)刻使設(shè)備保持在良好的狀態(tài)?!窘饷軐<?V信:icpojie】 目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側(cè)邊線條和高質(zhì)量的蝕刻效果
2017-06-23 16:01:38
評(píng)論
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