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高通攜手TSMC,繼續(xù)28納米工藝上合作

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攜手TSMC 賽靈思穩(wěn)猛打制程牌

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如何利用賽靈思28納米工藝加速平臺(tái)開發(fā)?

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2019-08-09 07:27:00

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        我在使用TSMC 65GP 工藝 跑蒙特卡洛仿真,我只用了lvt的N管和P管,MODEL里面我把所有帶lvt的都選了,還是遇到這個(gè)問題,有大神可以幫忙一下嗎
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環(huán)保納米新材料

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請(qǐng)教各位大佬BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別在什么地方?

請(qǐng)教各位大佬TSMC0.18um中,BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別,除了mos結(jié)構(gòu)上會(huì)有hvnw和nbl隔離之外,還有其他的嗎
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聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝
2013-07-25 10:10:521049

TSMC和Synopsys攜手將定制設(shè)計(jì)擴(kuò)展到16納米節(jié)點(diǎn)

FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)第0.5版的認(rèn)證,同時(shí)從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計(jì)套件(iPDK)。憑借其對(duì)iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持,Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對(duì)接。
2013-09-23 14:45:301050

ARM與聯(lián)華電子達(dá)成最新的28HPC POP工藝合作,擴(kuò)大28納米IP領(lǐng)先地位

  2016年2月5日,北京訊——ARM 宣布,從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子(UMC)的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺(tái)和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896

Mentor Graphics增強(qiáng)對(duì)TSMC 7納米工藝設(shè)計(jì)開發(fā)和10納米工藝量產(chǎn)的支援

FastSPICE? (AFS) 平臺(tái)。除此之外,Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)已可應(yīng)用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè) (DRM) 和 SPICE 模型的初期設(shè)計(jì)開發(fā)和 IP 設(shè)計(jì)。
2016-03-24 11:13:19816

Cadence 與 SMIC 聯(lián)合發(fā)布低功耗 28納米數(shù)字設(shè)計(jì)參考流程

“我們與 Cadence 密切合作開發(fā)參考流程,幫助我們的客戶加快其差異化的低功耗、高性能芯片的設(shè)計(jì),”中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示,“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實(shí)現(xiàn)工具與中芯國(guó)際28納米工藝的緊密結(jié)合,能夠幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將28納米設(shè)計(jì)達(dá)到更低的功耗以及更快的量產(chǎn)化?!?/div>
2016-06-08 16:09:562242

臺(tái)積電張忠謀談大陸28nm工藝:增長(zhǎng)很快

已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝,TSMC董事長(zhǎng)張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競(jìng)爭(zhēng),他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長(zhǎng)很快,其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:521538

震撼!Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日, 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198

中芯國(guó)際要研發(fā)更先進(jìn)制程工藝 臺(tái)積電一員大將可能加入中芯國(guó)際

中芯國(guó)際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而,目前,中芯國(guó)際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝28納米PolySiON工藝。并且,中芯國(guó)際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國(guó)際是全球
2017-04-26 10:05:11712

4巨頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手合作開發(fā)7納米工藝CCIX測(cè)試芯片

賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作,將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性(CCIX)的加速器測(cè)試芯片,并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003

7納米工藝成本高難度大 2018年只有三星蘋果手機(jī)搭載

7納米工藝將成為明年的重點(diǎn)制程工藝,但受成本太高的原因,據(jù)悉明年僅三星蘋果兩家手機(jī)繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒有采用臺(tái)積電最新的7納米工藝,會(huì)繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366197

聯(lián)芯28納米HKMG試產(chǎn)良率達(dá)98% 國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的28納米晶圓工藝

位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司日前傳來喜訊,已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品,試產(chǎn)良率高達(dá) 98%。這是該公司28納米
2018-03-31 15:28:5011192

Credo于TSMC 2018南京OIP研討會(huì)首次公開展示7納米工藝結(jié)點(diǎn)112G SerDes

Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊,并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204

華力28納米低功耗工藝平臺(tái)芯片進(jìn)入量產(chǎn)階段

近日,華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029

基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)處理芯片成功量產(chǎn)

12月11日,華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159

上海華力28納米低功耗工藝進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780

基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的芯片進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224

智原科技28/40納米單芯片ASIC設(shè)計(jì)量三年倍增

28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上的主流工藝,無論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟,成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446

瑞薩與臺(tái)積電將合作開發(fā)28nm納米嵌入式閃存制程技術(shù)

瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布,雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù),以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164

楷登電子數(shù)字和模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作, 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:26:321

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:32:060

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:32:200

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

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