16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司日前宣布其與TSMC在3D IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)開發(fā)方面的合作。
2012-06-11 09:47:431071 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對(duì)FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)工具與IP來推進(jìn)對(duì)FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:54823 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作細(xì)節(jié)，揭示其共同開發(fā)首款基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的ARM?Cortex?-A57處理器，實(shí)現(xiàn)對(duì)16納米性能和功耗縮小的承諾。
2013-04-07 13:46:441509 Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451236 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在國(guó)際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 8月30日，中芯國(guó)際發(fā)布2018年中期業(yè)績(jī)，收入同比增長(zhǎng)11.5%至17.22億美元；毛利同比增長(zhǎng)5.6%至4.38億美元。中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國(guó)際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:335140 晶體管制造工藝在近年來發(fā)展得不是非常順利，行業(yè)巨頭英特爾的主流產(chǎn)品長(zhǎng)期停滯在14nm上，10nm工藝性能也遲遲得不到改善。臺(tái)積電、三星等巨頭雖然在積極推進(jìn)7nm乃至5nm工藝，但是其頻率和性能
2020-07-07 11:38:14
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
臺(tái)積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
有機(jī)會(huì)“獨(dú)吞”A7代工訂單?！ ?b class="flag-6" style="color: red">臺(tái)積電作為全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造公司，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)先，在業(yè)界可謂屈指可數(shù)。臺(tái)積電積極開發(fā)20納米制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先MAX3232EUE+T優(yōu)勢(shì)下，未來1
2012-09-27 16:48:11
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱，蘋果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定?！ ?jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
技術(shù)開發(fā)成功，同時(shí)透露會(huì)朝第二代的 FinFET 技術(shù)開發(fā)。若***一舉朝 7 納米前進(jìn)，將會(huì)成為全球第四家 7 納米技術(shù)供應(yīng)商，與英特爾、臺(tái)積電、三星分庭抗禮。同時(shí)，華為海思的麒麟980也搶先發(fā)布，首款
2018-09-05 14:38:53
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
：為把openEuler 打造成全球頂尖的技術(shù)軟件，我們不僅僅要和國(guó)內(nèi)的開發(fā)者社區(qū)和基金會(huì)合作，還要和國(guó)際上先進(jìn)的開發(fā)者社區(qū)和基金會(huì)合作，讓他們?cè)敢鈪⑴c進(jìn)來，共創(chuàng) openEuler 社區(qū)。我愿意
2022-07-29 10:11:11
，未來就要看競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的制程技術(shù)能否趕得上腳步。 近期高通與臺(tái)積電持續(xù)緊密合作，業(yè)界傳出在最先進(jìn)的7納米制程技術(shù)上，臺(tái)積電因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)開發(fā)領(lǐng)先三星電子（Samsung Electronics），可望拿回高通7
2017-09-22 11:11:12
了高通的訂單。之后，中芯國(guó)際憑借極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格從Globalfoundries手中奪走了訂單，成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道，在高通的幫助下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了28nm工藝量產(chǎn)，而且還加快14nm硅片的量產(chǎn)。由于產(chǎn)能、價(jià)格及新芯片技術(shù)的原因，此次高通將電源管理芯片交給了臺(tái)積電生產(chǎn)。
2017-09-27 09:13:24
。這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠互有消長(zhǎng)，首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn)，因兩家大廠的鰭式晶體管(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處，后續(xù)又衍生了競(jìng)業(yè)禁止官司訴訟等故事，無論如何，最終臺(tái)積電還是
2018-06-14 14:25:19
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米
2018-11-19 15:20:44
CPLD技術(shù)在PCI總線開關(guān)中的應(yīng)用使用CPLD技術(shù)開發(fā)PCI板卡有什么優(yōu)點(diǎn)
2021-04-08 06:47:28
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
交給代工廠來開發(fā)和交付。臺(tái)積電是這一階段的關(guān)鍵先驅(qū)。
半導(dǎo)體的第四個(gè)時(shí)代——開放式創(chuàng)新平臺(tái)
仔細(xì)觀察，我們即將回到原點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性和設(shè)計(jì)復(fù)雜性開始呈爆炸式增長(zhǎng)。工藝技術(shù)
2024-03-13 16:52:37
各類常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
如何利用TI DLP Pico 技術(shù)開發(fā)頭戴式顯示應(yīng)用？為什么要選擇DLP Pico技術(shù)開發(fā)HMD應(yīng)用？
2021-06-01 06:52:55
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
如何通過軟件無線電的架構(gòu)加速無線技術(shù)的開發(fā)與測(cè)試？如何應(yīng)對(duì)無線標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)的快速更新？
2021-05-07 07:05:26
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
本帖最后由 華強(qiáng)芯城 于 2023-3-17 09:16 編輯
晶圓代工巨頭——臺(tái)積電近日傳出漲價(jià)20%的消息，業(yè)內(nèi)轟動(dòng)。這是臺(tái)積電繼2020年底上漲超10%之后，一年之內(nèi)，又一次的大幅上漲
2021-09-02 09:44:44
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
的小珠子，使其最后形成一個(gè)10X5比例的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)
2016-06-29 14:49:15
的長(zhǎng)方形。從這個(gè)實(shí)驗(yàn)不難看出，要達(dá)成這個(gè)目標(biāo)非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺(tái)積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)，并以此為資本爭(zhēng)奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
穿戴電子開發(fā)項(xiàng)目，可技術(shù)合作共同開發(fā)！各位網(wǎng)友大家好，明年是穿戴式電子元年，google glass 年底上市注定會(huì)刮起一陣電子穿戴風(fēng)，穿戴電子市場(chǎng)有很大的發(fā)展空間，必定會(huì)為合作伙伴帶來機(jī)會(huì)，我們
2013-06-29 17:35:47
，所以只能以舊工藝（16nm制程）制造A10處理器。除此之外，臺(tái)積電還將獨(dú)家代工重大變化的2017年版iPhone采用的A11處理器。據(jù)稱A11芯片將采用10納米FinFET工藝，最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
生產(chǎn)。如果臺(tái)積電真的能夠完全按照這一時(shí)間展開工作的話，那么就將使該公司徹底走在了芯片制造領(lǐng)域的最前端?！ ∧壳埃瑯I(yè)內(nèi)設(shè)備制造廠商大多剛剛開始擁抱14納米芯片工藝，蘋果最新的iPhone 6s系列就是
2016-01-25 09:38:11
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（“中芯國(guó)際”，紐約
2009-10-15 08:22:44793 中芯國(guó)際(SMIC)和Cadence 共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0
完全集成的能效型流程令快速、輕松地設(shè)計(jì)低功耗尖端器件成為可能
2009-10-31 07:48:011228 中芯國(guó)際(SMIC)和Cadence共同推出用于65納米的低功耗解決方案Reference Flow 4.0
全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程，面向
2009-11-04 17:05:17589 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務(wù)伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術(shù)進(jìn)行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 新思科技與中芯國(guó)際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗(yàn)證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09588 據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，IBM和ARM計(jì)劃加強(qiáng)移動(dòng)電子市場(chǎng)合作的同時(shí)，還會(huì)共同合作提高14納米半導(dǎo)體技術(shù)。
2011-01-19 08:09:55330 中國(guó)頂尖IC設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用了28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片，而9.2% 本地?zé)o晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)。
2011-09-07 11:23:501556 中國(guó)頂尖設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片，而本地9.2%無晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 Crocus科技和中芯國(guó)際正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。共同研發(fā)高溫MLU的應(yīng)用技術(shù)。
2011-12-09 19:04:21637 Cadence與三星的合作為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品帶來了新的工藝進(jìn)展，使得20納米及未來工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)成為可能。
2012-06-10 10:43:54984 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司日前宣布TSMC已選擇Cadence解決方案作為其20納米的設(shè)計(jì)架構(gòu)。Cadence解決方案包括Virtuoso定制/模擬以及Encounter RTL-to-Signoff平臺(tái)。
2012-10-22 16:48:03909 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測(cè)試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 ，采用臺(tái)積公司先進(jìn)的16納米FinFET （16FinFET）工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢(shì)的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 全球電子創(chuàng)新設(shè)計(jì)Cadence公司與上海華力微電子，15日共同宣布了華力微電子基于Cadence Encounter數(shù)字技術(shù)交付55納米平臺(tái)的參考設(shè)計(jì)流程。華力微電子首次在其已建立55納米工藝上實(shí)現(xiàn)了從RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ:CDNS）與上海華力微電子有限公司，今天共同宣布華力微電子基于Cadence ? Encounter? 數(shù)字技術(shù)交付出55納米平臺(tái)的參考設(shè)計(jì)流程。
2013-08-16 12:02:401445 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實(shí)體驗(yàn)證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號(hào)設(shè)計(jì)實(shí)體signoff。同時(shí)
2014-03-25 09:33:50862 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:541769 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（Design Rule Manual，DRM） 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。
2014-10-08 19:10:45663 美國(guó)加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年3月22日，中國(guó)上海——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS）今日宣布，用于10納米 FinFET工藝的數(shù)字、定制／模擬和簽核工具通過臺(tái)積電（TSMC）V1.0設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（DRM）及SPICE認(rèn)證。
2016-03-22 13:54:541026 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日， 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198 2017年4月18日，中國(guó)上海 – 楷登電子（美國(guó)Cadence公司，NASDAQ： CDNS）今日正式發(fā)布針對(duì)7nm工藝的全新Virtuoso? 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)。通過與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作，將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測(cè)試芯片，并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
楷登電子（美國(guó) Cadence 公司）今日正式公布其與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）全新12nm FinFET緊湊型（12FFC）工藝技術(shù)開發(fā)的合作內(nèi)容。憑借Cadence 數(shù)字
2018-05-08 11:07:001422 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日，中芯國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC，28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量，良率達(dá)到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:003773 外，在技術(shù)研發(fā)方面，中芯國(guó)際表示，第一代 FinFET 14 納米技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí)，12 納米的技術(shù)開發(fā)也開始有所突破。
2019-02-18 17:03:103076 
4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 UltraScale+ 器件系列以低功耗半導(dǎo)體工藝（TSMC 16 納米FinFET+）為基礎(chǔ)，與 7 系列 FPGA 及 SoC 相比，能將整體器件級(jí)電源節(jié)省達(dá) 60%。架構(gòu)改進(jìn)。
2019-08-01 15:46:331252 目前從全球范圍來說，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:542254 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928 工藝技術(shù)的FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證 此外，該認(rèn)證也可擴(kuò)展到臺(tái)積電N4工藝技術(shù) Ansys宣布Ansys電源完整性解決方案榮獲臺(tái)積電FINFLEX創(chuàng)新架構(gòu)以及N4工藝技術(shù)認(rèn)證，持續(xù)深化與臺(tái)積電的長(zhǎng)期技術(shù)合作
2022-11-17 15:31:57696 來源：Cadence楷登 2023年4月26日，楷登電子近日宣布基于臺(tái)積電 3nm（N3E）工藝技術(shù)的 Cadence? 16G UCIe? 2.5D 先進(jìn)封裝 IP 成功流片。該 IP 采用
2023-04-27 16:35:40453 
，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證，其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí)，Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02381 
Cadence近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作，并提
2024-02-27 14:02:18160
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