16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： 在28納米產(chǎn)品和新平開發(fā)軟件平臺Vivado發(fā)布后，賽靈思并沒有停止新工藝開發(fā)的腳步。日前賽靈思宣布了其20納米的產(chǎn)品規(guī)劃。 賽靈思全球高級副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總
2012-11-14 10:43:401136 SuVolta公司展示其「深度耗盡通道」（ Deeply Depleted Channel；DDC ）技術在效能及功耗方面的優(yōu)勢。
2013-01-10 11:36:181040 Cadence設計系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協(xié)議，共同開發(fā)16納米FinFET技術，以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應用。
2013-04-16 09:05:09925 在國際電子電路研討會大會（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 三星電子公司今天宣布批量生產(chǎn)基于其高級20納米工藝技術的業(yè)界首款12Gb LPDDR4（低功耗雙數(shù)據(jù)速率4）移動DRAM。
2015-09-11 10:21:011421 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術。
2018-08-09 10:38:123129 瑞薩電子今日宣布，將開發(fā)全新微控制器（MCU），以支持最近發(fā)布的低功耗（LE）藍牙? 5.3規(guī)范。
2021-10-21 15:34:201291 
（Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
要解決一系列的技術難題。為此，我們邀請FPGA企業(yè)、EDA企業(yè)、IP企業(yè)、芯片制造企業(yè)共同探討新工藝技術的研發(fā)關鍵點。 Altera技術經(jīng)理相奇博士：40納米技術應對高靜態(tài)功耗和高速I/O挑戰(zhàn)
2019-05-20 05:00:10
上受益于和TSMC的合作。這種緊密的合作關系使Altera能夠在CycloneIII中充分發(fā)揮TSMC低功耗65nm工藝技術的優(yōu)勢，和競爭器件相比，大大降低了功耗。我們在45nm產(chǎn)品開發(fā)中也取得了很大進步，將在2008年推出我們的首款45nm產(chǎn)品。
2019-07-16 08:28:35
可穿戴設備可分為哪幾類？低功耗藍牙技術在可穿戴電子中有什么應用？
2021-05-24 07:16:07
EMC設計、工藝技術基本要點和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
結合采用低功耗元件和低功耗設計技術在目前比以往任何時候都更有價值。隨著元件集成更多功能，并越來越小型化，對低功耗的要求持續(xù)增長。當把可編程邏輯器件用于低功耗應用時，限制設計的低功耗非常重要。如何減小動態(tài)和靜態(tài)功耗？如何使功耗最小化？
2019-08-27 07:28:24
MATLAB&STM32CubeMX聯(lián)合開發(fā)系列——不用手寫一行代碼就能實現(xiàn)CAN通訊從第一次搭建好MATLAB和STM32CubeMX的聯(lián)合開發(fā)環(huán)境有一段時間了，之前已經(jīng)發(fā)布了兩個實例
2021-08-17 08:00:20
最近在學習MATLAB/RTW與STM32f407，遇到一些問題，請問誰有過類似聯(lián)合開發(fā)的經(jīng)驗或者資料？不勝感謝!!!!
2016-02-01 20:45:21
Sic mesfet工藝技術研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括：多于10萬個器件的設計復雜度、大于幾GHz的時鐘主頻、納米級的CMOS工藝技術、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應、極度復雜的噪聲環(huán)境以及無線/有線通訊協(xié)議的支持問題?！ ?
2019-10-11 06:39:24
通 驍龍 8 Gen 1：2021年12月1日公布，4納米工藝技術制造3、蘋果A14 Bionic：2020年9月15日公布，5納米工藝技術制造4、高通 驍龍 888 Plus：2021年6月28日公布
2021-12-25 08:00:00
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛柔性PCB制造工藝技術的發(fā)展趨勢：未來，剛柔結合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
芯片設計解決方案供應公司微捷碼（Magma）設計自動化有限公司近日宣布，已和專為消費性應用提供超低功耗65納米FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）技術的先驅(qū)者SiliconBlue科技公司正式簽定技術
2019-07-26 07:29:40
如何利用Freeze技術的FPGA實現(xiàn)低功耗設計？
2021-04-29 06:27:52
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個高性能低功耗的工藝技術，一個覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴展的架構，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術的價值， 為客戶提供具備 ASIC 級功能
2019-08-09 07:27:00
和傳統(tǒng)藍牙技術相比，低功耗藍牙技術的低功耗是如何實現(xiàn)的？
2021-05-18 06:23:30
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術可用于晶圓凸起，每種技術有各自的優(yōu)缺點。其中金線柱焊接凸點和電解或化學鍍金焊接凸點主要用于引腳數(shù)較少的封裝應用領域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
的方法來控制靜態(tài)功耗以及UPF的實現(xiàn)方法，然后描述UPF在設計流程中的應用。 數(shù)字IC設計面臨的挑戰(zhàn) 制造工藝技術節(jié)點的發(fā)展比預期增加了更多的功耗。每一個新工藝都具有固有的更高的動態(tài)和漏電電流密度
2020-07-07 11:40:06
低功耗藍牙有哪些特性？低功耗藍牙有哪些技術？
2021-05-14 07:08:40
請詳細敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術
2011-04-13 18:34:13
如何利用FPGA設計技術降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
立足自主研發(fā)和技術創(chuàng)新，企業(yè)才有生命力。2005 年，中芯國際在成功開發(fā)0.25 微米、0.18 微米、0.13微米集成電路生產(chǎn)工藝的基礎上，向90 納米國際主流技術發(fā)起挑戰(zhàn)。2006 年中芯國
2009-12-14 11:39:00
34 摘要：介紹了幾種高開關速度、低電源電壓等極、低功耗的BiCMOS邏輯門電路，并分析了它們的工作原理及其工藝技術情況。結果表明，這些電路的電源電壓可達到20V以下，而且信號
2010-05-13 09:59:2919 常用PCB工藝技術參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 低功耗的FPGA芯片領導者Actel公司與全球領先的半導體晶圓代工廠聯(lián)華電子 (UMC) 宣布，雙方已合作進行Actel次世代以Flash為基礎的FPGA (現(xiàn)場可編程門陣列) 芯片之生產(chǎn)。此FPGA芯片將采用
2008-11-22 18:35:42704 中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:44793 英飛凌與諾基亞將聯(lián)合開發(fā)4G技術
芯片廠商英飛凌宣布與諾基亞合作制造用于下一代移動網(wǎng)絡的芯片，使它向諾基亞高端手機供應芯片又邁進了一步。
英飛凌星
2009-11-27 09:02:47269 英飛凌與諾基亞將聯(lián)合開發(fā)4G技術
據(jù)國外媒體報道，芯片廠商英飛凌宣布與諾基亞合作制造用于下一代移動網(wǎng)絡的芯片，使它向諾基亞高端手機供應芯片又邁
2009-11-27 15:03:33493 松下與Tesla聯(lián)合開發(fā)新一優(yōu)鋰離子電池技術 Tesla馬達公司與松下公司于2010年1月8日宣布，聯(lián)合開發(fā)新一優(yōu)電動汽車用鋰離子電池技術，Te
2010-01-09 08:34:46753 Telsa宣布和松下聯(lián)合開發(fā)新款車用電池
蓋世汽車訊 綜合外電報道，全球電動車制造商Tesla近日宣布，Tesla將和日本松下公司聯(lián)合開
2010-01-11 08:47:34608 高通攜手TSMC，繼續(xù)28納米工藝上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）與其專業(yè)集成電路制造服務伙伴－TSMC前不久日共同宣布，雙方正在28納米工藝技術進行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺開發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領導廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21383 統(tǒng)一工藝和架構，賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布，為推進可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工程師在全球發(fā)布賽靈思
2010-03-02 08:48:51576 新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術的、獲得USB標志認證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09588 Achronix半導體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術的使用權，并計劃開發(fā)最先進的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財年開始出樣。基于28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷碼(Magma®)設計自動化有限公司日前宣布，一款經(jīng)過驗證的支持Common Platform™聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 中國頂尖IC設計公司已經(jīng)采用了28納米尖端技術開發(fā)芯片，而9.2% 本地無晶圓廠半導體公司亦采用先進的45納米或以下的工藝技術進行設計及大規(guī)模量產(chǎn)。
2011-09-07 11:23:501556 中國頂尖設計公司已經(jīng)采用28納米尖端技術開發(fā)芯片，而本地9.2%無晶圓廠半導體公司亦采用先進的45納米或以下的工藝技術進行設計及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 ARM公司與全球領先的半導體晶圓代工商聯(lián)電近日共同宣布達成長期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術驗證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術的
2011-10-13 09:32:44631 瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子) 于2011年6月14日宣布開發(fā)新型超低功耗近場 距離(低于1米的范圍內(nèi))無線技術，通過此技術實現(xiàn)極小終端設備(傳感器節(jié)點)即可將各種傳感器信息發(fā)送
2011-10-18 09:38:14480 瑞薩電子公司和工業(yè)通信系統(tǒng)設備供應商Hilscher公司今天宣布聯(lián)合開發(fā)新型片上系統(tǒng)(SoC)
2011-11-24 08:43:34545 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術的
2012-02-22 14:04:27754 本白皮書介紹了有關賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面，其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 聯(lián)華電子與閃存解決方案領導廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權協(xié)議包含了授權聯(lián)華電子采用此技術為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922 全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司（NASDAQ:CDNS）今天宣布，歷經(jīng)廣泛的基準測試后，半導體制造商聯(lián)華電子（NYSE：UMC；TWSE：2303）（UMC）已采用Cadence? “設計內(nèi)”和“簽收”可制造性設計（DFM）流程對28納米設計進行物理簽收和電學變量優(yōu)化。
2013-07-18 12:02:09905 聯(lián)華電子和寬帶存取與家庭網(wǎng)絡技術的領先供貨商Lantiq今日（28日）共同宣布，Lantiq應用于有線電話的SPT170高壓電源管理芯片產(chǎn)品，已于聯(lián)華電子進入量產(chǎn)。
2014-10-30 09:40:49848 2015年4月27日 – 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術，與競爭對手的半導體工藝相比，該技術能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領導者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 ， LDE） Analyzer 分析方案通過聯(lián)華電子認證，支援其28納米HPCU（High Performance Compact，高效能精簡型）制程技術。
2016-04-15 10:09:071939 半導體的制造流程以及各工位的詳細工藝技術。
2016-05-26 11:46:340 “我們與 Cadence 密切合作
開發(fā)參考流程，幫助我們的客戶加快其差異化的
低功耗、高性能芯片的設計，”中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示，“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實現(xiàn)工具與中芯國際
28納米工藝的緊密結合，能夠幫助設計團隊將
28納米設計達到更低的
功耗以及更快的量產(chǎn)化?！?/div>
2016-06-08 16:09:562242 PCB測試工藝技術，很詳細的
2016-12-16 21:54:480 三星10納米工藝技術公告：全球領先的三星電子先進的半導體元器件技術正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上?！?b class="flag-6" style="color: red">電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術上實現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 晟矽微電子股份有限公司（“晟矽微電”，股份代號：430276）今日聯(lián)合宣布，基于95納米單絕緣柵一次性編程MCU（95納米CE 5V OTP MCU）工藝平臺開發(fā)的首顆微控制器（Microcontroller Unit, MCU）（產(chǎn)品型號MC30P6230）已成功驗證，即將導入量產(chǎn)。
2017-11-03 10:37:249818 臺積電業(yè)務開發(fā)副總經(jīng)理金平中指出，臺積電的超低功耗平臺包括55納米超低功耗技術、40納米超低功耗技術、22納米超低功耗／超低漏電技術等，都已經(jīng)被各種穿戴式產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)應用采用，同時，臺積電也把超低功耗
2017-12-11 15:03:291409 大會(ITS World Congress 2016)上展示聯(lián)合開發(fā)的新型V2X參考設計方案 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）和車聯(lián)網(wǎng)(V2X)及聯(lián)網(wǎng)自動駕駛汽車
2018-04-25 22:20:002144 于聯(lián)電55納米超低功耗工藝（55ULP）的 PowerSlash 基礎IP方案。智原 PowerSlash 與聯(lián)電工藝技術相互結合設計，為超低功耗的無線應用需求技術進行優(yōu)化，滿足無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求。 智原科技營銷暨投資副總于德洵表示：物聯(lián)網(wǎng)應用建構過程中，效能往往受制于低功耗技術。
2018-03-05 15:08:005142 中芯國際仍在努力提升自己的28納米工藝技術，曾在三星電子公司和臺積電擔任高管的梁孟松，去年擔任中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官，他的加入將有助于中芯國際開發(fā)自己的14納米工藝技術。三星電子公司和臺積電目前正競相生產(chǎn)7納米工藝技術芯片。
2018-05-18 08:58:134552 南京飛騰電子近日宣布，正式發(fā)布業(yè)界最低功耗的安全 NB-IoT 模組 FT780，該模組是由飛騰電子和中興微電子基于 RoseFinch7100 超低功耗 NB-IoT 芯片上聯(lián)合開發(fā)，尺寸僅為 18mm x16mmx2.3mm，是目前業(yè)界最小的模塊，適用于超低功耗和超小型化的應用場景。
2018-10-07 19:16:574276 近日，華虹集團旗下中國領先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設計領導廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，華虹集團旗下中國領先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設計領導廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159 華虹集團旗下中國領先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設計領導廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 華虹集團旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 繼寶馬與戴姆勒（奔馳母公司）宣布成立合資出行集團之后，寶馬戴姆勒商談聯(lián)合開發(fā)電動車平臺。
2019-03-21 16:47:403702 4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術開發(fā)，現(xiàn)已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 低功耗，簡稱“LPE”)工藝。人工智能(AI)增強型云就緒Fusion Design Platform提供前所未有的全流程設計實現(xiàn)質(zhì)量和設計收斂速度，實現(xiàn)三星5LPE工藝技術提供的超高性能和低功耗，加速新一波半導體設計的開發(fā)，包括高性能計算(HPC)、汽車、5G和人工智能細分市場。
2019-06-12 13:48:353552 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 聯(lián)華電子2日表示，在使用USB 2.0測試載具并成功通過硅驗證之后，正式宣布更先進的22納米制程技術就緒。
2019-12-03 15:40:342106 12月16日消息，據(jù)國外媒體報道，周二，由賈躍亭創(chuàng)辦的美國電動汽車初創(chuàng)企業(yè)法拉第未來（Faraday Future，簡稱FF）宣布與飛利浦知識產(chǎn)權與標準公司達成一項聯(lián)合開發(fā)協(xié)議。
2020-12-16 10:15:581536 ，以提高產(chǎn)能。 而從英文媒體最新的報道來看，聯(lián)華電子也在提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能，以滿足相關制程工藝的需求。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報道聯(lián)華電子正提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能的，主要是滿足 28nm 工藝的產(chǎn)能需求。
2021-01-18 17:11:282288 目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構的3nm工藝技術已經(jīng)
2021-07-02 11:21:542254 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 （UMC） 近日達成合作，共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術平臺的工藝設計套件 （PDK）。
2022-02-17 10:43:201132 
西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 (UMC) 近日達成合作，共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術平臺的工藝設計套件 (PDK)。聯(lián)華電子為全球半導體晶圓專工業(yè)業(yè)者，專注
2022-04-02 09:54:041687 全面解讀電子封裝工藝技術
2022-10-10 11:00:51876 國內(nèi)知名電源品牌歐陸通與意法半導體（ST）宣布，雙方將在歐陸通子公司上海安世博及杭州云電科技兩地分別設立針對數(shù)字電源應用的聯(lián)合開發(fā)實驗室，擬在服務器電源及新能源技術及產(chǎn)品開發(fā)領域探索更多可能性。兩個
2023-04-29 14:35:241751 
2006電子元器件搪錫工藝技術要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術詳解
2023-10-27 15:28:22373 
2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 已全部加載完成
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